我是靠谱客的博主 简单秋天，最近开发中收集的这篇文章主要介绍数电3_2——TTL门电路（很久前整理了一半，没有了下文）1. 三极管开关特性2. TTL反相器3. 其他类型的TTL门电路，觉得挺不错的，现在分享给大家，希望可以做个参考。
概述
数电3_2——TTL门电路
- 1. 三极管开关特性
- 1.1 符号：
- 1.2 三极管的各区域的掺杂浓度
- 1.3 三极管的三种工作状态
- 1.3.1 放大状态
- 1.3.2 饱和状态
- 1.3.3 截止状态
- 1.3.4 总结
- 2. TTL反相器
- 2.1 电路结构与工作原理
- 2.2 静态输入输出特性
- 2.3 动态特性
- 3. 其他类型的TTL门电路
1. 三极管开关特性
- 三极管，全称半导体三极管，也叫作双极型晶体管，晶体三极管。主要的作用有两个：放大电流和作为开关。
- 常见的三极管有PNP，NPN两种。
1.1 符号：
B（base）：基极
C（colection）：集电极
E（emission）：发射集
（箭头在be间，P->N）
1.2 三极管的各区域的掺杂浓度
| 区域 | 浓度 | 目的 |
|---|---|---|
| 发射区 | 浓度最高 | 可以提供更多的载流子来发射 |
| 基区 | 浓度很低，很薄 | 减少载流子与基区的符合机会 |
| 集电区 | 浓度在前两者之间，体积很大 | 方便收集边缘载流子 |
1.3 三极管的三种工作状态
PN结的偏执方式决定了晶体管的导通与截止，晶体管有三种工作状态：放大，截止，饱和。
晶体管用于模拟电路时工作在放大状态
在数字电路中交替工作在饱和和截止状态，起开关作用
1.3.1 放大状态
- 条件：发射结正偏，集电结反偏
NPN：VE<VB,VC>VB
PNP: VE>VB,VC<VB - 载流子运动过程：
发射区发射载流子形成Ie，少部分被基区复合形成Ib，大部分被集电极收集形成Ic
I E = I B + I C I_{E} = I_{B} +I_{C} IE=IB+IC
放大系数 β = I C I B beta =frac{I_{C}}{I_{B}} β=IBIC
1.3.2 饱和状态
- 条件：发射结正偏，集电结正偏，实际上 U C E < U B E U_{CE}<U_{BE} UCE<UBE就饱和啦
- 特征：
a. I B I_{B} IB增加时， I C I_{C} IC基本不变
b. U C E ≈ 0 U_{CE}approx0 UCE≈0
c. 晶体管相当于短路
1.3.3 截止状态
- 发射结反偏，集电结反偏
- 特征：
a. 基极电流 I B = 0 I_{B}=0 IB=0
b. 集电极电流 I C = 0 I_{C}=0 IC=0
c. U C E = U C C U_{CE}=U_{CC} UCE=UCC
d. 晶体管相当于开路
1.3.4 总结
| 状态 | 正反偏 |
|---|---|
| 放大 | 发射结正偏，集电结反偏 |
| 截止 | 发射结反偏，集电结反偏 |
| 饱和 | 发射结正偏，集电结正偏 |
2. TTL反相器
2.1 电路结构与工作原理
2.2 静态输入输出特性
2.3 动态特性
3. 其他类型的TTL门电路
最后
以上就是简单秋天为你收集整理的数电3_2——TTL门电路（很久前整理了一半，没有了下文）1. 三极管开关特性2. TTL反相器3. 其他类型的TTL门电路的全部内容，希望文章能够帮你解决数电3_2——TTL门电路（很久前整理了一半，没有了下文）1. 三极管开关特性2. TTL反相器3. 其他类型的TTL门电路所遇到的程序开发问题。
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