3.1概述
门电路目的：获得理想的高低电平
单开关不理想的原因：
3.2半导体二极管门电路
3.2.1 半导体二极管的开关特性
•
反型层：相对于衬底的半导体掺杂类型发生变化，掺杂实际没变化，因为反型层通过外界电场吸引了电子过来在这个局部区域电子较多，相对于衬底 形成了反型层；加垂直
电场
(
vgs
)
足够
强，形成沟道就可以把两口井连起来，在两口井（漏源）之间外加电场就导通了；加的垂直
电场
(
vgs
)
越
大，形成的沟道就越宽，导电能力就越强。对外 漏源之间等效电阻就越小；在漏源之间加横向电场就会形成电流；不加横向电场只加垂直电场，沟道形状较规则
•
加完横向电场会横下来，加的横向
电场
vds
越
大 会形成 夹断
•
一旦沟道被夹
断，管子进入饱和区，对外呈现出横流的状态
•
Cmos
管子的导通 通过本身
mos
管的工作原理形成了互补性，这个互补性确保了输出
0
时候和
1
没关系，输出
1
时候和
0
没关系。
•
使得门电路可以输出最高质量的高低电平
•
Vdd
升高，曲线留的噪声容限越大，横线越长。
•
结论：
cmos
器件可以通过提升
vdd
来提升噪声容限
•
但是
vdd
不能轻易提高，同样传输
01
，如果电源电压起来了，结果会功耗变大，电流尖峰上去了，导致 电流曲线积分上去了，电流曲线的积分就是功耗。
最后
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