逻辑门电路的知识点归纳

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我是靠谱客的博主缓慢眼神，最近开发中收集的这篇文章主要介绍逻辑门电路的知识点归纳，觉得挺不错的，现在分享给大家，希望可以做个参考。

1.半导体二极管与MOS管的开关特性

二极管：正向导通，反向截止，但是要注意的是从反向截止到正向导通的时间极其短，但是从正向导通到反向截止要经过反向恢复（电荷存储效应）的过程，这个过程实际上就是存储电荷消失的时间，也是结电容的放电时间。（所以可以用于防止反相电流过大的情况）

BJT：主要分为截止区放大区以及饱和区，截止区的时候Ib=0相当于开关打开，断路，而饱和区的时候，Vce=0.2-0.3V开关闭合导通。在放大区工作的时候，基级输入理想的方波信号，它的集电极输出的波形的起始和平顶部分都会延迟一段时间，有延迟时间，上升时间存储时间以及下降时间

MOS：开关输入信号在高低电平之间转换的时候，MOS要通过导通电阻对负载电容放电，输出电压变化滞后于输入电压的变化，而且他的导通电阻大，所以其开关特性较差。

关于MOS管的增强型与耗尽型的之间的联系区别。

增强型的MOS管指的是输入到栅极的电压Vgs是大于零的，随着栅极输入电压Vgs的增大，电流Id 也在增大，载流子不断向栅极靠拢的过程；而耗尽型的MOS指的是栅极输入电压VGs从一开始的时候是小于零的，这时候的载流子都集中在栅极，然后VGs绝对值变大的过程中，Id变大，同时载流子不断减少的过程

转载于:https://www.cnblogs.com/Dinging006/p/9537769.html

以上就是缓慢眼神为你收集整理的逻辑门电路的知识点归纳的全部内容，希望文章能够帮你解决逻辑门电路的知识点归纳所遇到的程序开发问题。

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