三星计划2030年实现1000层NAND！使用长江存储专利技术 随着NAND闪存技术竞争日益激烈，三星电子公布的路线图显示，计划到2030年开发出1000层的NAND闪存。为了实现这一目标，三星计划引入一种名为多BV”的NAND结构，通过堆叠四片 NAND闪存 2025年02月28日 200 点赞 3 评论 303 浏览
需求疲软价格持续下跌：NAND闪存大厂美光减产10%！ 靠谱客12月31日消息，据媒体报道，面对市场需求疲软和价格持续下跌的压力，NAND闪存大厂美光将减少10%的NAND晶圆产量，以调控供给量，期望借此提振市场需求。美光此前公布的 NAND闪存 2024年12月31日 99 点赞 1 评论 150 浏览
