纳秒级写入、超万亿次擦写！中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破 靠谱客1月1日消息，据媒体报道，在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器 微电子 2025年01月01日 129 点赞 110 评论 1 浏览
