一 设计思路

1. 采用组合逻辑电路，设计掩膜式只读存储器（Mask ROM）（在制造时写入内容，以后只能读，不能写入）。
2. 3位地址线（[2:0] addr）：可以实现8个存储单元（字）的寻址，8个地址及其存储的8位数据的真值表如下（下表中各地址存储的数据D是地址addr的2倍）：

3. 8位数据输出端（[7:0] data_out）
4. 读控制输入端R，低电平有效，R为1时输出为高阻态。
   若读控制输入端（R）为低电平，则将3位地址线([2:0] addr)寻址到的ROM单元（[7:0] rom[0:7]）中的数据送到输出端（[7:0] data_out），否则输出高阻态。

二 verilog代码

（一）程序代码变量说明

input R, // 读控制输入端，低电平有效
input [2:0] addr, // 3位地址线
output [7:0] data_out // 8位数据输出端

wire [7:0] rom[0:7];

（二）程序代码

软件：Quartus II 9.0

module ROM(
	input R,
	input [2:0] addr,
	output [7:0] data_out);
	
	wire [7:0] rom[0:7];
	
	assign rom[0] = 8'b0;
	assign rom[1] = 8'b00000010;
	assign rom[2] = 8'b00000100;
	assign rom[3] = 8'b00000110;
	assign rom[4] = 8'b00001000;
	assign rom[5] = 8'b00001010;
	assign rom[6] = 8'b00001100;
	assign rom[7] = 8'b00001110;
	
	assign data_out = !R ? rom[addr] : 8'bz;
endmodule

（三）时序模拟图

读控制端R为1时，输出data_out为高阻态。
读控制端R为0时，依次输出第0-7个地址对应的rom中的数据。

最后

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