概述
1.GS幅值超过平台电压才能导通。
2.MOSFET的GS之间需要电阻一般在1k~10k，可以防静电。
3.GS超过平台电压以后，DS之间无论有没有电路，都是导通的。
4.MOSFET属于压控压型器件，三极管属于流控流型器件。
5.低压大电流的MOSFET的ID电流大，GS之间的结电容也大，相对于高压的MOSFET开关速度偏慢。
6.低压大电流的MOSFET的Rdson小。
7.高压小电流的的MOSFET的ID电流小，GS之间的结电容也小，相对于低压的MOSFET开关速度偏快。
8.高压小电流的MOSFET的Rdson大。
9.低压大电流的GS栅极驱动电阻一般取10Ω~100Ω，20Ω，30Ω比较多。
10.高压小电流的GS栅极驱动电阻一般取100Ω~500Ω，20Ω，330Ω比较多。
11.MOSFET的平台电压控制在100~500ns比较合适，平台如果低于100ns，容易发生振荡，发热比较严重。平台如果大于500ns，平台太宽，开关损耗比较大，发热比较严重。
12.高压小电流的MOSFET的栅极GS波形在开通的时候容易振荡。
13.低压大电流的MOSFET的栅极GS波形在关断的时候容易振荡。
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最后
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