概述
单总线协议-DS18B20原理与stm32F1以及51单片机程序
一、DS18B20技术性能特征
①、 独特的单总线接口方式,DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。大大提高了系统的抗干扰性。
② 、测温范围 -55℃~+125℃,精度为±0.5℃。
③、支持多点组网功能,多个DS18B20可以并联在唯一的三线上,最多只能并联8个,实现多点测温,如果数量过多,会使供电电源电压过低,从而造成信号传输的不稳定。
④、 工作电源: 3.0~5.5V/DC (可以数据线寄生电源)。
⑤ 、在使用中不需要任何外围元件。
⑥、 测量结果以9~12位数字量方式串行传送。
二、DS18B20特点:
(1)DS18B20共有6种信号类型:复位脉冲、应答脉冲、写0、写1、读0和读1。所有这些信号,除了应答脉冲以外,都由主机发出同步信号。并且发送所有的命令和数据都是字节的低位在前。
(2)单总线是一种半双工通信方式
三、DS18B20的典型温度读取过程:
DS18B20的典型温度读取过程为:复位>>发SKIP ROM命令(0XCC)>>发开始转换命令(0X44)>>延时>>复位>>发送SKIP ROM命令(0XCC)>>发读存储器命令(0XBE)>>连续读出两个字节数据(即温度)>>结束。
1、如果总线上只有一个ds18b20,那么初始化时可以跳过ROM(CCH)
2、如果总线上只有多个ds18b20,那么初始化时需要搜索ROM(FOH)、读ROM(33H)读出64位序列号、发送匹配ROM指令(55H)以及64位序列号
四、原理与程序:
1、51单片机原理与程序:
(1)复位脉冲函数:
sbit DQ=P1^7;
unsigned char time; //设置全局变量,专门用于严格延时
/*****************************************************
函数功能:将DS18B20传感器初始化,读取应答信号
出口参数:flag
原理:主机将数据线DQ拉成低电平保持480us-960us后释放总线,等待15-60us后,在60us-240us内检测总线是否为
低电平,如果为低电平说明ds18b20器件功能正常
***************************************************/
bit Init_DS18B20(void)
{
bit flag; //储存DS18B20是否存在的标志,flag=0,表示存在;flag=1,表示不存在
DQ = 1; //先将数据线拉高
for(time=0;time<2;time++); //略微延时约6微秒
DQ = 0; //再将数据线从高拉低,要求保持480~960us
for(time=0;time<200;time++); //略微延时约600微秒 //以向DS18B20发出一持续480~960us的低电平复位脉冲
DQ = 1; //释放数据线(将数据线拉高)
for(time=0;time<10;time++); //延时约30us(释放总线后需等待15~60us让DS18B20输出存在脉冲)
flag=DQ; //让单片机检测是否输出了存在脉冲(DQ=0表示存在)
for(time=0;time<200;time++); //延时足够长时间,等待存在脉冲输出完毕
return (flag); //返回检测成功标志
}
(2)写单字节函数:
/*****************************************************
函数功能:向DS18B20写入一个字节数据
入口参数:dat
原理:
(1)主机读0时序:主机先把总线拉低大于1us,如果主机发送0,主机会把总线继续拉低至少60us直至写周期结束,然后释放总线为高电平
(2)主机读1时序:主机先把总线拉低大于1us,然后释放总线直至写周期结束
(3)作为从机的ds18b20在检测到总线被拉低后(写周期开始),等待15us,在15-45us内对总线采样
(4)数据传输:多字节低字节在前,高字节在后,一字节的低位在前,高位在后
***************************************************/
void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=0; i<8; i++)
{
DQ =1; // 先将数据线拉高
_nop_(); //等待一个机器周期
DQ=0; //将数据线从高拉低时即启动写时序
DQ=dat&0x01; //利用与运算取出要写的某位二进制数据,
//并将其送到数据线上等待DS18B20采样
for(time=0;time<10;time++)
;//延时约30us,DS18B20在拉低后的约15~60us期间从数据线上采样
DQ=1; //释放数据线
for(time=0;time<1;time++)
;//延时3us,两个写时序间至少需要1us的恢复期
dat>>=1; //将dat中的各二进制位数据右移1位
}
for(time=0;time<4;time++)
; //稍作延时,给硬件一点反应时间
}
(3)读单字节函数:
/*****************************************************
函数功能:从DS18B20读取一个字节数据
出口参数:dat
原理:
(1)主机读0时序:主机先把总线拉低大于1us,然后释放总线,如果ds18b20发送0,ds18b20会把总线拉低15us,然后释放总线为高电平
(2)主机读1时序:主机先把总线拉低大于1us,然后释放总线,如果ds18b20发送1,则在主机释放总线后不拉低总线,也就是为高电平
(3)主机需在读周期开始(主机先把总线拉低大于1us,然后释放总线)后的15us内检测总线电平的高低。
***************************************************/
unsigned char ReadOneChar(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat; //储存读出的一个字节数据
for (i=0;i<8;i++)
{
DQ =1; // 先将数据线拉高
_nop_(); //等待一个机器周期
DQ = 0; //单片机从DS18B20读书据时,将数据线从高拉低即启动读时序
_nop_(); //等待一个机器周期
_nop_(); //等待一个机器周期
DQ = 1; //将数据线"人为"拉高,为单片机检测DS18B20的输出电平作准备
for(time=0;time<2;time++); //延时约6us,使主机在15us内采样
dat>>=1;
if(DQ==1)
dat|=0x80; //如果读到的数据是1,则将1存入dat
for(time=0;time<1;time++);//延时3us,两个读时序之间必须有大于1us的恢复期
}
return(dat); //返回读出的十进制数据
}
(4)DS18B20温度转换函数:
/*****************************************************
函数功能:做好读温度的准备
***************************************************/
void ReadyReadTemp(void)
{
Init_DS18B20(); //将DS18B20初始化
WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0x44); // 启动温度转换
for(time=0;time<100;time++); //温度转换需要一点时间
Init_DS18B20(); //将DS18B20初始化
WriteOneChar(0xCC); //跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0xBE); //读取温度寄存器,前两个分别是温度的低位和高位
}
转化后得到的12位数据,存储在18B20的两个8比特的RAM中,二进制中的前面5位是符号位,如果测得的温度大于0, 这5位为0,只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度;如果温度小于0,这5位为1,测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际 温度。 例如+125℃的数字输出为07D0H,,-25.0625℃的数字输出为FE6FH。
(5)主机温度转换函数:
while(1) //不断检测并显示温度
{
ReadyReadTemp(); //读温度准备
TL=ReadOneChar(); //先读的是温度值低位
TH=ReadOneChar(); //接着读的是温度值高位
TN=TH*16+TL/16; //实际温度值=(TH*256+TL)/16,即:TH*16+TL/16
//这样得出的是温度的整数部分,小数部分被丢弃了
TD=(TL%16)*10/16; //计算温度的小数部分,将余数乘以10再除以16取整,
//这样得到的是温度小数部分的第一位数字(保留1位小数)
display_temp1(TN); //显示温度的整数部分
display_temp2(TD); //显示温度的小数部分
delaynms(10);
}
2、51单片机完整程序:
#include<reg51.h> //包含单片机寄存器的头文件
#include<intrins.h> //包含_nop_()函数定义的头文件
unsigned char code digit[10]={"0123456789"}; //定义字符数组显示数字
unsigned char code Str[]={"Test by DS18B20"}; //说明显示的是温度
unsigned char code Error[]={"Error!Check!"}; //说明没有检测到DS18B20
unsigned char code Temp[]={"Temp:"}; //说明显示的是温度
unsigned char code Cent[]={"Cent"}; //温度单位
/*******************************************************************************
以下是对液晶模块的操作程序
*******************************************************************************/
sbit RS=P2^0; //寄存器选择位,将RS位定义为P2.0引脚
sbit RW=P2^1; //读写选择位,将RW位定义为P2.1引脚
sbit E=P2^2; //使能信号位,将E位定义为P2.2引脚
sbit BF=P0^7; //忙碌标志位,,将BF位定义为P0.7引脚
/*****************************************************
函数功能:延时1ms
(3j+2)*i=(3×33+2)×10=1010(微秒),可以认为是1毫秒
***************************************************/
void delay1ms()
{
unsigned char i,j;
for(i=0;i<10;i++)
for(j=0;j<33;j++)
;
}
/*****************************************************
函数功能:延时若干毫秒
入口参数:n
***************************************************/
void delaynms(unsigned char n)
{
unsigned char i;
for(i=0;i<n;i++)
delay1ms();
}
/*****************************************************
函数功能:判断液晶模块的忙碌状态
返回值:result。result=1,忙碌;result=0,不忙
***************************************************/
bit BusyTest(void)
{
bit result;
RS=0; //根据规定,RS为低电平,RW为高电平时,可以读状态
RW=1;
E=1; //E=1,才允许读写
_nop_(); //空操作
_nop_();
_nop_();
_nop_(); //空操作四个机器周期,给硬件反应时间
result=BF; //将忙碌标志电平赋给result
E=0; //将E恢复低电平
return result;
}
/*****************************************************
函数功能:将模式设置指令或显示地址写入液晶模块
入口参数:dictate
***************************************************/
void WriteInstruction (unsigned char dictate)
{
while(BusyTest()==1); //如果忙就等待
RS=0; //根据规定,RS和R/W同时为低电平时,可以写入指令
RW=0;
E=0; //E置低电平(根据表8-6,写指令时,E为高脉冲,
// 就是让E从0到1发生正跳变,所以应先置"0"
_nop_();
_nop_(); //空操作两个机器周期,给硬件反应时间
P0=dictate; //将数据送入P0口,即写入指令或地址
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_(); //空操作四个机器周期,给硬件反应时间
E=1; //E置高电平
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_(); //空操作四个机器周期,给硬件反应时间
E=0; //当E由高电平跳变成低电平时,液晶模块开始执行命令
}
/*****************************************************
函数功能:指定字符显示的实际地址
入口参数:x
***************************************************/
void WriteAddress(unsigned char x)
{
WriteInstruction(x|0x80); //显示位置的确定方法规定为"80H+地址码x"
}
/*****************************************************
函数功能:将数据(字符的标准ASCII码)写入液晶模块
入口参数:y(为字符常量)
***************************************************/
void WriteData(unsigned char y)
{
while(BusyTest()==1);
RS=1; //RS为高电平,RW为低电平时,可以写入数据
RW=0;
E=0; //E置低电平(根据表8-6,写指令时,E为高脉冲,
// 就是让E从0到1发生正跳变,所以应先置"0"
P0=y; //将数据送入P0口,即将数据写入液晶模块
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_(); //空操作四个机器周期,给硬件反应时间
E=1; //E置高电平
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_(); //空操作四个机器周期,给硬件反应时间
E=0; //当E由高电平跳变成低电平时,液晶模块开始执行命令
}
/*****************************************************
函数功能:对LCD的显示模式进行初始化设置
1602初始化原理:
延时
写指令38H
延时
写指令38H
延时
写指令38H
(每次写指令、读/写数据操作之前均需检测信号)
写指令38H:显示模式设置
写指令08H:显示关闭
写指令01H:显示清屏
写指令06H:显示光标移动设置
写指令0CH:显示开及光标设置
1.1读状态:输入:RS=L,RW=H,E=H
----输出:D0~D7=状态字
1.2写指令:输入:E=L,RS=L,RW=L,D0~D7=指令码,E=H
----输出:无
1.3读数据:输入:RS=H,RW=H,E=H
----输出:D0~D7=数据
1.4写数据:输入:E=L,RS=H,RW=L,D0~D7=数据,E=H
----输出:无
HD44780内置DDRAM、CGROM和CGRAM。
DDRAM就是显示数据RAM,用来寄存待显示的字符代码。共80个字节,地址和屏幕的对应关系如下:
显示位置 1 2 3 4 5 6 7 … … 40
第一行 00H 01H 02H 03H 04H 05H 06H … … 27H
第二行 40H 41H 42H 43H 44H 45H 46H … … 67H
也就是说想要在LCD1602屏幕上的第一行第一个位置显示一个“A”,就要向DDRAM的00H地址写“A”字的代码就OK了,但具体的写入是要按照LCD模块的指令格式来进行的。
但是我们发现每一行有40个地址,而我们们每行只能显示16个字符,
其实际多的位置可以实现字符的移动,我们在看大佬作品的时候可能会见到有的字符是从左面移过来,他的实现形式就用到了着些多的地址。将数据先写到未显示的地址然后使用指令进行左移就可以了。
***************************************************/
void LcdInitiate(void)
{
delaynms(15); //延时15ms,首次写指令时应给LCD一段较长的反应时间
WriteInstruction(0x38); //显示模式设置:16×2显示,5×7点阵,8位数据接口
delaynms(5); //延时5ms ,给硬件一点反应时间
WriteInstruction(0x38);
delaynms(5); //延时5ms ,给硬件一点反应时间
WriteInstruction(0x38); //连续三次,确保初始化成功
delaynms(5); //延时5ms ,给硬件一点反应时间
WriteInstruction(0x0c); //显示模式设置:显示开,无光标,光标不闪烁
delaynms(5); //延时5ms ,给硬件一点反应时间
WriteInstruction(0x06); //显示模式设置:光标右移,字符不移
delaynms(5); //延时5ms ,给硬件一点反应时间
WriteInstruction(0x01); //清屏幕指令,将以前的显示内容清除
delaynms(5); //延时5ms ,给硬件一点反应时间
}
/************************************************************************
以下是DS18B20的操作程序
************************************************************************/
sbit DQ=P1^7;
unsigned char time; //设置全局变量,专门用于严格延时
/*****************************************************
函数功能:将DS18B20传感器初始化,读取应答信号
出口参数:flag
原理:主机将数据线DQ拉成低电平保持480us-960us后释放总线,等待15-60us后,在60us-240us内检测总线是否为
低电平,如果为低电平说明ds18b20器件功能正常
***************************************************/
bit Init_DS18B20(void)
{
bit flag; //储存DS18B20是否存在的标志,flag=0,表示存在;flag=1,表示不存在
DQ = 1; //先将数据线拉高
for(time=0;time<2;time++); //略微延时约6微秒
DQ = 0; //再将数据线从高拉低,要求保持480~960us
for(time=0;time<200;time++); //略微延时约600微秒 //以向DS18B20发出一持续480~960us的低电平复位脉冲
DQ = 1; //释放数据线(将数据线拉高)
for(time=0;time<10;time++); //延时约30us(释放总线后需等待15~60us让DS18B20输出存在脉冲)
flag=DQ; //让单片机检测是否输出了存在脉冲(DQ=0表示存在)
for(time=0;time<200;time++); //延时足够长时间,等待存在脉冲输出完毕
return (flag); //返回检测成功标志
}
/*****************************************************
函数功能:从DS18B20读取一个字节数据
出口参数:dat
原理:
(1)主机读0时序:主机先把总线拉低大于1us,然后释放总线,如果ds18b20发送0,ds18b20会把总线拉低15us,然后释放总线为高电平
(2)主机读1时序:主机先把总线拉低大于1us,然后释放总线,如果ds18b20发送1,则在主机释放总线后不拉低总线,也就是为高电平
(3)主机需在读周期开始(主机先把总线拉低大于1us,然后释放总线)后的15us内检测总线电平的高低。
***************************************************/
unsigned char ReadOneChar(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat; //储存读出的一个字节数据
for (i=0;i<8;i++)
{
DQ =1; // 先将数据线拉高
_nop_(); //等待一个机器周期
DQ = 0; //单片机从DS18B20读书据时,将数据线从高拉低即启动读时序
_nop_(); //等待一个机器周期
_nop_(); //等待一个机器周期
DQ = 1; //将数据线"人为"拉高,为单片机检测DS18B20的输出电平作准备
for(time=0;time<2;time++); //延时约6us,使主机在15us内采样
dat>>=1;
if(DQ==1)
dat|=0x80; //如果读到的数据是1,则将1存入dat
for(time=0;time<1;time++);//延时3us,两个读时序之间必须有大于1us的恢复期
}
return(dat); //返回读出的十进制数据
}
/*****************************************************
函数功能:向DS18B20写入一个字节数据
入口参数:dat
原理:
(1)主机读0时序:主机先把总线拉低大于1us,如果主机发送0,主机会把总线继续拉低至少60us直至写周期结束,然后释放总线为高电平
(2)主机读1时序:主机先把总线拉低大于1us,然后释放总线直至写周期结束
(3)作为从机的ds18b20在检测到总线被拉低后(写周期开始),等待15us,在15-45us内对总线采样
(4)数据传输:多字节低字节在前,高字节在后,一字节的低位在前,高位在后
***************************************************/
void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=0; i<8; i++)
{
DQ =1; // 先将数据线拉高
_nop_(); //等待一个机器周期
DQ=0; //将数据线从高拉低时即启动写时序
DQ=dat&0x01; //利用与运算取出要写的某位二进制数据,
//并将其送到数据线上等待DS18B20采样
for(time=0;time<10;time++)
;//延时约30us,DS18B20在拉低后的约15~60us期间从数据线上采样
DQ=1; //释放数据线
for(time=0;time<1;time++)
;//延时3us,两个写时序间至少需要1us的恢复期
dat>>=1; //将dat中的各二进制位数据右移1位
}
for(time=0;time<4;time++)
; //稍作延时,给硬件一点反应时间
}
/******************************************************************************
以下是与温度有关的显示设置
******************************************************************************/
/*****************************************************
函数功能:显示没有检测到DS18B20
***************************************************/
void display_error(void)
{
unsigned char i;
WriteAddress(0x00); //写显示地址,将在第1行第1列开始显示
i = 0; //从第一个字符开始显示
while(Error[i] != '