简单总结ISE中RAM的ip核配置过程以及相关的端口。

分类

ram分为分布式ram（distributed ram）以及块ram（block ram）
前者是自己用寄存器搭建的，这里理解可以转至Vivado使用技巧（27）：RAM编写技巧
简单理解块ram就是自己用寄存器写出来的储存单元，仅仅用于储存比较少量的数据。优点是dram不需要时钟线来控制，可以直接用组合逻辑进行控制。bram是fpga中定制的ram资源，控制起来需要用时钟线，以及其他UI界面设定的io接口进行配置。

定制过程及说明

1. 首先进入页面，打开进行选择要生成的ip核
   
2. 选择你要定制的类型
   
   可以选择的类型有如下五个，其中两种是ROM，三种是RAM。这里只总结RAM，ROM前面有进行简单的总结，后面会结合所学的，对这些全部进行注意点的总结。接下来是几种RAM的简介。
   

single - port RAM

简单单口RAM

端口说明

ADDRA 为地址线
DINA 为数据输入端
ENA 为可选端口，在其为高电平时，才使能。
WEA 为写使能“当其为高电平是，DINA数据才会被写入对应的地址，这里[0:0]，仿真的时候会发现，这里的数据不同于时钟线，而是数据。”
DOUTA 为A输出端
CLKA 为时钟线

Simple Dual Port Ram

这里只是多出来了个B端口，其中B用来读数据。
这里就会遇到一个问题，当同时写入数据和读出数据的时候该怎么进行选择呢，这里会有用户自行设定，会在接下来的页面中进行介绍。（这里可以分为三种模式）

True Dual-port RAM

图中上边的端口A和下边的端口B都支持读写操作，WEA、WEB信号为高时进行写操作，低为读操作。同时它支持两个端口读写操作的任何组合：两个同时读操作、两个端口同时写操作或者在两个不同的时钟下一个端口执行写操作，另一个端口执行读操作。

同时这里有一个选择框，问是否使用同一个时钟（CLKA，CLKB）

3. 数据端口配置
   这里可以配置写入的宽度和深度。
   同时可以尽行不同宽度的读取。就是说写入的宽度不同于读取的宽度。系统会对深度进行自动设定。
   

当选择真正双口ram的实时候，会出现这里的三个设计端口。

4. 其他配置
   后面还有几页，这里笔者能力有限，以后进行补充。

ram测试（1）

代码主要是描述了读写时间的控制，然后对写入的内容进行控制。这里测试代码来源于开拓者资料（我买的黑金板子，那个资料，，无语-----）
下是测试结果，可以看到，ram读出的数据需要延时一个时钟周期。就是说，在读地址位为1的时候，它读出的数据其实是地址0里边的数据。

（解决输出延时一个周期的方法是，让读地址提前一个时钟周期，读地址去读，读地址的延时作为数据的观测）如下图

代码书写

这里的读数据使能我没有用，具体代码如下

module ip_ram(
	input sys_clk,
	input sys_rst_n
    );

wire [0:0] ram_wr_en ;		//ram写使能
wire ram_rd_en ;		//ram读使能
wire [4:0] ram_addr ;	//ram读写地址
wire [7:0] ram_wr_data;	//ram写数据

wire [7:0] ram_rd_data; //ram读数据

ram_rw A (
    .clk(sys_clk), 
    .rst_n(sys_rst_n), 
    .ram_rd_data(ram_rd_data), 
    .ram_wr_en(ram_wr_en), 
    .ram_rd_en(ram_rd_en), 
    .ram_addr(ram_addr), 
    .ram_wr_data(ram_wr_data)
    );

ram_test B (
  .clka(sys_clk), // input clka
  .wea(ram_wr_en), // input [0 : 0] wea
  .addra(ram_addr), // input [4 : 0] addra
  .dina(ram_wr_data), // input [7 : 0] dina
  .clkb(sys_clk), // input clkb
  .addrb(ram_addr), // input [4 : 0] addrb
  .doutb(ram_rd_data) // output [7 : 0] doutb
);


endmodule

module ram_rw(
	clk,rst_n,ram_rd_data,
	ram_wr_en,ram_rd_en,ram_addr,ram_wr_data
    );
input 				clk				; 		//系统时钟
input 				rst_n			;		//复位信号
input 		[7:0] 	ram_rd_data		;		//ram读数据
output  	[0:0]	ram_wr_en		;		//写使能信号
output 		 		ram_rd_en		;		//读使能信号
output  reg [4:0]   ram_addr		;		//ram写地址
output 	reg [7:0]	ram_wr_data		;		//ram写数据 


reg 	[5:0] 	rw_cnt			;		//读写控制计数器
//数据计数在0-31之内，ram写使能为高电平
assign ram_wr_en = ((rw_cnt >= 6'd0) && (rw_cnt <= 6'd31)) ? 1'b1 : 1'b0;
//数据计数在32-63之内，ram读使能为高电平
assign ram_rd_en = ((rw_cnt >= 6'd32) && (rw_cnt <= 6'd62)) ? 1'b1 : 1'b0;

always @ (posedge clk or negedge rst_n)
begin
	if(!rst_n)
		rw_cnt <= 6'd0;
	else 
		if(rw_cnt == 6'd63)
			rw_cnt <= 6'd0;
		else 
			rw_cnt <= rw_cnt + 6'd1;	
end
//写入的数据，在写使能为高电平的时候，写入的数据加一
always @ (posedge clk or negedge rst_n)
begin
	if(!rst_n)
		ram_wr_data <= 8'd0;
	else 
		if((rw_cnt >= 6'd0) && (rw_cnt <= 6'd31))
			ram_wr_data <= ram_wr_data + 8'b1;
		else 
			ram_wr_data <= 8'd0;
end
//读地址信号控制,读地址一直循环在所有地址之间
always @ (posedge clk or negedge rst_n)
begin
	if(!rst_n)
		ram_addr <= 5'd0;
	else 
		if(ram_addr == 5'd31)
			ram_addr <= 5'd0;
		else 
			ram_addr <= ram_addr + 5'd1;
end

endmodule

ram测试（2）A

测试八位写入，十六位读出，这里只需要控制写入数据，读取数据是只需要控制地址位即可。

这里只有一个数据有问题，就是在ram里的第15个数据，也就是对应的30和31次写入的数据不对，同时可以看出，读出数据的时候也是要延时一个时钟周期。而且这里读出的数据，例如01，写入0f 02 写入05
这样读出的第一位数据是050f
换了一个顺序，将后写入的数据作为高位？！
所以在次基础上，增加一个测试，见ram测试（2）B

代码书写

module ip_ram2(sys_clk,sys_rst_n
    );
input 		sys_clk				;
input 		sys_rst_n			;

reg   [0:0] wea;
reg   [4:0] wr_addr;
reg   [3:0] rd_addr;
wire  [7:0] wr_data;
reg   [0:0] cnt_en ;
//写地址，写入当有wea信号来的时候，地址位+1
always @ (posedge sys_clk or negedge sys_rst_n)
begin
	if(!sys_rst_n)
		wr_addr <= 5'd0;
	else 
		if(wr_addr == 5'd31)
			wr_addr <= 5'd0;
		else 
			if(wea)
				wr_addr <= wr_addr + 1'b1;
			else 
				wr_addr <= wr_addr;
end
//读地址控制
always @ (posedge sys_clk or negedge sys_rst_n)
begin
	if(!sys_rst_n)
		rd_addr <= 4'd0;
	else 
		rd_addr <= rd_addr + 4'd1;
end
//控制写使能信号
always @ (posedge sys_clk or negedge sys_rst_n)
begin
	if(!sys_rst_n)
		wea <= 1'b0;
	else 
		if(cnt_en == 1'b1)
			wea <= 1'b1;
		else 
			wea <= 1'b0;
end
//cnt_en计数
always @ (posedge sys_clk or negedge sys_rst_n)
begin
	if(!sys_rst_n)
		cnt_en <= 1'b0;
	else 
		if(cnt_en == 1'b1)
			cnt_en <= 1'b0;
		else 
			cnt_en <= 1'b1;
end
assign wr_data = ( wr_addr%2 ) ? 8'h5 : 8'hf;
ram_test2 A (
  .clka(sys_clk), // input clka
  .wea(wea), // input [0 : 0] wea
  .addra(wr_addr), // input [4 : 0] addra
  .dina(wr_data), // input [7 : 0] dina
  .clkb(sys_clk), // input clkb
  .addrb(rd_addr), // input [3 : 0] addrb
  .doutb(doutb) // output [15 : 0] doutb
);
endmodule

ram测试（2）B

这里对其初始化，直接读出数据。

这里可以看出，确实是8位写入，16位读出的时候，第0位读出的数据是1100
写入时候，0写入的时候，写入的是00，1写入的时候，写的数据时11
读出的时候。可以看出其变换（同样延时一个时钟周期读出数据）

代码书写

module ip_ram3(
	clk
    );
input clk;
reg [1:0] addrb = 2'd0;
always @ (posedge clk )
begin
	addrb <= addrb + 1'b1;
end
ram_dual_test A (
  .clka(clk), // input clka
  .wea(wea), // input [0 : 0] wea
  .addra(addra), // input [2 : 0] addra
  .dina(dina), // input [7 : 0] dina
  .clkb(clk), // input clkb
  .addrb(addrb), // input [1 : 0] addrb
  .doutb(doutb) // output [15 : 0] doutb
);

endmodule

以上就完成了简单的配置以及简单的测试。当然，也可以对其进行初始化。类似rom操作。
参考博文：
双口RAM及Vivado RAM IP核的使用
Vivado使用技巧（27）：RAM编写技巧
感谢~

最后

以上就是爱撒娇服饰为你收集整理的ISE使用中RAM IP核配置及ram测试（两种测试）分类定制过程及说明ram测试（1）ram测试（2）Aram测试（2）B的全部内容，希望文章能够帮你解决ISE使用中RAM IP核配置及ram测试（两种测试）分类定制过程及说明ram测试（1）ram测试（2）Aram测试（2）B所遇到的程序开发问题。

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