射频电路设计——射频器件基础射频电路制作方法趋肤效应、深度高频器件

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我是靠谱客的博主简单大米，最近开发中收集的这篇文章主要介绍射频电路设计——射频器件基础射频电路制作方法趋肤效应、深度高频器件，觉得挺不错的，现在分享给大家，希望可以做个参考。

概述

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射频电路制作方法

MCM工艺

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CMOS工艺

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趋肤效应、深度

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频率越高趋肤效应越明显

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高频器件

高频电阻

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绕线的比贴片的多一个电感，是因为绕线的因为是线绕制的，只有有线就会有电感，所以绕线电阻等效模型会比贴片的多一个电感

多晶硅电阻模型

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深线性区MOS电阻

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高频电阻的频率响应

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记忆的话就后面的频率特性有点像电容的

高频电容

作用

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单层贴片式电容

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多层贴片式电容

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MIM电容

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MOM电容

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由于是并联的，所以总的电容值是单个的直接相加

PN结电容

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MOS电容

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高频电容的频响特性

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高频电感

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硅片电感

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高频电感等效电路模型

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高频电感频响特性

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高频电感的衡量特性

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高频变压器

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变压器等效电路模型

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红框框中的Cpox+Rpsi+Cpsi是元件和衬底之间的寄生参数（具体可能不是这么表述的，但是大部分做在衬底上的结构都有这么个东西）

传输线

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最后

以上就是简单大米为你收集整理的射频电路设计——射频器件基础射频电路制作方法趋肤效应、深度高频器件的全部内容，希望文章能够帮你解决射频电路设计——射频器件基础射频电路制作方法趋肤效应、深度高频器件所遇到的程序开发问题。

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本文分类：射频微波
浏览次数：74 次浏览
发布日期：2023-05-11 07:11:03
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