MOS管应用详解

在工程应用中，如何去正确使用MOS管，我们从应用角度来介绍MOS管的使用及选型。

一，分类 ：mos管分为PMOS和NMOS管，分别有G--栅极 S 源极 D 漏极

原理图中如何区分管脚：

G---栅极

S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是源极

D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的

pmos管箭头指示往出流，nmos管箭头指示往里流

二. 开通关断原理

1. Nmos的电流回路是从D流向S,导通条件为VGS有导通电压, G电位高于S电位。

NMOS管适合源极接地的情况（低端驱动），栅极高电平即可导通，低电平关闭。

2.Pmos的电流回路是从S流向D,导通条件为VGS有导通电压, S电位高于G电位。

PMOS管适合源极接VCC的情况（高端驱动），VGS小于一定值时导通。

若S极接电源，G-栅极低电平导通，高电平关闭。

3. pmos应用示例

  P13为高电平时，mos管Q1导通。  P13低电平时，VGS上电压相等，Q1截止。

三 .MOS管的重要参数

1. VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。

2. ID表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度，如果超过该值，会引起击穿的风险。

3.. RDS(ON)表示MOS的导通电阻，一般来说导通电阻越小越好，其决定MOS的导通损耗，导通电阻越大损耗越大，MOS温升也越高。

4.gfs表示正向跨导，反映的是栅极电压对漏源电流控制的能力，gfs过小会导致MOSFET关断速度降低，关断能力减弱，过大会导致关断过快，EMI特性差，同时伴随关断时漏源会产生更大的关断电压尖峰。

5. IGSS表示栅极驱动漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响。

6.VGS(th)表示的是MOS的开启电压(阀值电压) ,NMOS:     Vg>Vs >VGS(th) 

        PMOS: |Vg<Vs|>VGS(th)

  在使用mos管进行大电流控制时，为了防止导通和关断对电容充放电时间过长引起的器件发热问题，驱动mos管栅极，使用推挽电路，可以快速对Ciss电容充电，放电，让MOS管快速进入饱和区。

      Vout接mos管的栅极

2.两个重要曲线 

2.1   pmos管转移曲线

说明：vgs在负坐标，表示vgs为负，即Vg<Vs     |Vg-Vs |大于开启电压时，管子有电流ID流过，即导通。vgs在正坐标，vgs大于0.  Vg>Vs,管子截止，无ID电流.

2.2 NMOS管特性曲线   VG>VS大于开启电压，管子导通

3.PMOS管的常用电路，防反接电路

基本原理：

1. 当正向接通时，VIN通过PMOS管的寄生电容从D到S极，这是S极上有电压，G极上的电压是从分压电阻上取得，Vg<Vs MOS管导通。

2.当电源接反时，Vg 上的电压大于Vs, MOS管截止。

最后

以上就是彪壮彩虹为你收集整理的MOS管应用详解的全部内容，希望文章能够帮你解决MOS管应用详解所遇到的程序开发问题。

如果觉得靠谱客网站的内容还不错，欢迎将靠谱客网站推荐给程序员好友。