概述
文章目录
- 半导体二极管
- 一、二极管的组成
- 二、二极管的伏安特征及电流方程
- 三、二极管的等效电路
- 1.折线化
- 2.微变等效电路
- 四、二极管的主要参数
- 五、稳压二极管
- 1.伏安特性
- 2.主要参数
半导体二极管
p型半导体,n型半导体,pn结都呈电中性,不带点。
一、二极管的组成
将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。
P–阳极 N–阴极
点接触型:结面积小,结电容小,结运行的电流小,用于高频回路和小功率整流
面接触型:结面积大,结电容大,电流小,工作频率低,一般仅作为整流管
平面型:扩散法制成。
- 结面积大:大功率整流
- 结面积小:脉冲数字电路中的开关管
二、二极管的伏安特征及电流方程
i
=
f
(
u
)
i=f(u)
i=f(u)
U
T
:
温
度
的
电
压
当
量
U_T:温度的电压当量
UT:温度的电压当量
材料 | 开启电压 | 导通电压 | 反向饱和电流 |
---|---|---|---|
硅Si | 0.5V | 0.5~0.8V | 1uA以下 |
锗Ge | 0.1V | 0.1~0.3V | 几十uA |
一定要有r存在。
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。(稳态)
其伏安特征可以反应:
-
单向导电性
-
受温度影响
温度T升高的时候
- 电 流 不 变 情 况 下 管 压 降 u 降 电流不变情况下管压降u降 电流不变情况下管压降u降
- 反 向 饱 和 电 流 I s 升 , U ( B R ) 降 反向饱和电流I_s升,U_{(BR)}降 反向饱和电流Is升,U(BR)降
(正向特性左移,反向特性下移)
三、二极管的等效电路
1.折线化
正向导通,反向立即截止。理想二极管。
解析:
若
该
二
极
管
为
硅
管
,
其
导
通
电
压
0.6
−
0.8
V
。
若该二极管为硅管,其导通电压0.6-0.8V。
若该二极管为硅管,其导通电压0.6−0.8V。
(
1
)
V
=
100
V
时
,
100
/
0.6
=
166
,
电
源
电
压
高
166
倍
于
导
通
电
压
,
认
为
可
忽
略
导
通
电
压
,
二
极
管
具
有
理
想
二
极
管
的
特
性
。
(
记
为
图
一
)
(1)V=100V时,100/0.6=166,电源电压高166倍于导通电压,认为可忽略导通电压,二极管具有理想二极管的特性。(记为图一)
(1)V=100V时,100/0.6=166,电源电压高166倍于导通电压,认为可忽略导通电压,二极管具有理想二极管的特性。(记为图一)
(
2
)
V
=
5
V
,
5
/
0.6
=
8.3
,
…
…
8.3
倍
…
…
,
具
有
图
二
特
性
(2)V=5V, 5/0.6=8.3,……8.3倍……,具有图二特性
(2)V=5V,5/0.6=8.3,……8.3倍……,具有图二特性
(
3
)
V
=
1
V
,
1
/
0.6
,
…
…
…
…
,
具
有
图
三
特
性
。
著
:
P
18.
和
P
19
的
例
题
。
(3)V=1V, 1/0.6,…………,具有图三特性。 著:P18.和P19的例题。
(3)V=1V,1/0.6,…………,具有图三特性。著:P18.和P19的例题。
2.微变等效电路
四、二极管的主要参数
最大整流电流:最大正向平均电流
最大反向工作电压:最大瞬时值,超过会击穿,为击穿电压的一半
反向电流:未击穿时的反向电流
I
S
I_S
IS
最高工作频率
五、稳压二极管
1.伏安特性
稳压管:硅,面接触型
反向击穿时,一定电流范围内,端电压基本不变。
2.主要参数
-
稳定电压:反向击穿电压 U Z U_Z UZ
-
稳定电流:稳态时的参考电流,电流低于该值稳压效果变坏。 I Z ( 也 常 记 作 I Z m i n ) I_Z(也常记作I_Zmin) IZ(也常记作IZmin)
-
额定功耗(也称最大功耗): P Z M = U Z ∗ I Z M P_ZM=U_Z*I_ZM PZM=UZ∗IZM ( I Z M 或 记 作 I Z m a x ) (I_ZM或记作I_Zmax) (IZM或记作IZmax)
-
动态电阻:
最后
以上就是机灵树叶为你收集整理的模电笔记二(第一章第二小节)一、二极管的组成二、二极管的伏安特征及电流方程三、二极管的等效电路四、二极管的主要参数五、稳压二极管的全部内容,希望文章能够帮你解决模电笔记二(第一章第二小节)一、二极管的组成二、二极管的伏安特征及电流方程三、二极管的等效电路四、二极管的主要参数五、稳压二极管所遇到的程序开发问题。
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