增强型pmos电路符号_gm/Id的模拟电路设计方法（2）——电路仿真

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我是靠谱客的博主动人含羞草，最近开发中收集的这篇文章主要介绍增强型pmos电路符号_gm/Id的模拟电路设计方法（2）——电路仿真，觉得挺不错的，现在分享给大家，希望可以做个参考。

接着上次内容继续学习gm/Id的模拟集成电路设计方法，本次主要分享仿真使用的电路和仿真过程以及仿真结果的处理方法。

仿真电路图

根据具体电路工作情况可以建立适当的仿真原理图用来绘出gm/Id与其它参数的曲线，作为设计时的参考。

实际上通过多次仿真发现，所需要的参数受MOS管的源漏电压和栅宽W的影响比较小，所以在绘制曲线的时候可以固定MOS管的源漏电压和栅宽，通过扫描栅端电压和MOS管的栅长L绘制曲线，用作电路设计的参考。

很多其它的参考资料都会刻意将PMOS和NMOS放在两个不同的原理图中仿真，实际上在绘制gm/Id所用到的曲线的时候无所谓MOS管的类型，只需要在计算公式中为带有符号的参数取绝对值即可，这样就可以通过一次仿真绘出所需要的所有曲线。

电路图中器件栅宽W、栅长L以及栅端电压设为变量，仿真时可以固定MOS管尺寸，通过对栅端电压进行DC扫描，保存器件的所有DC信息获得器件参数，并根据上一节中提到的公式计算gm/Id、ft、gm*rout、Id/(W/L)、gds/Id等设计中需要使用的参数。

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