我是靠谱客的博主 机灵小土豆,最近开发中收集的这篇文章主要介绍实验四 存储器实验系列文章目录一、实验目的二、实验原理三、实验接线四、实验步骤五、实验结论,觉得挺不错的,现在分享给大家,希望可以做个参考。

概述

系列文章目录


目录

  • 系列文章目录
  • 一、实验目的
  • 二、实验原理
  • 三、实验接线
  • 四、实验步骤
    • 实验一
    • 实验二
  • 五、实验结论



一、实验目的

掌握静态随机存取存储器 RAMT 作特性及数据的读写方法

二、实验原理

主存储器单元电路主要用于存放实验机的机器指令,如书上的例子,它的数据总线挂在外部数据总线EXD0-EXD7上;它的地址总线由地址寄存器单元电路中的地址寄存器74LS273(U37)给出,地址值由8个LAD0-LAD7显示,高电平亮,低电平灭:在手动方式下,输入数据由8位数据开关KD0KD7提供,并经一三态门741S245(U51)连至外部数据总线EXD0EXD7,实验时将外部数据总线EXD0EXD7用8芯排线连到内部数据总线BUSD0BUSD7,分时给出地址和数据。它的读信号直接接地;它的写信号和片选信号由写入方式确定。该存储器中机器指令的读写分手动和自动两种方式。手动方式下,写信号由 W / R-提供,片选信号由 CE-提供;自动方式下,写信号由控制 CFU 的 P1.2提供,片选信号由控制 CPU 的P1.1提供。
由于地址寄存器为8位,故接入6462的地址为A0A7,而高4位A8 A 12接地,所以其实际使用容量为256字节。6264有四个控制线: CS1第一片选线、CS2第二片选线、OE读线、WE写线。其功能如表3-4所示。CS1片选线由 CE- 控制(对应开关 CE )、OE读线直接接地、WE写线由W/R-控制(对应开关WE)、CS2直接接+5V。
图中信号线LDAR由开关 LDAR 提供,手动方式实验时,跳线器 LDAR 拨在左边,脉冲信号,T3由实验机上时序电路模块TS3提供,实验时只需将J22跳线器连上即可,T3的脉冲宽度可调。
74LS273是8位数据/地址锁存器,它是一种带清除功能的8D触发器,D0~D7为数据输入端,Q0~Q7为数据输出端,正脉冲触发,低电平清除,常用作数据锁存器,地址锁存器。

三、实验接线

1、J20,J21,J22接上短路片,
2、J24,J25,J26接左边;
3、J27,J28接右边;
4、J23置右边T4选”SD“
5、JA5置“接通”;
6、JA6置“手动”;
7、JA3置“接通”;
8、JA1,JA2,JA4置“高阻”;
9、JA8置上面“微地址”
10、EXJ1接BUS3
11、开关CE、AR置1

四、实验步骤

实验一

1、连接实验线路,仔细查线无误后接通电源
2、形成时钟脉冲信号13,方法如下:总清开关置“1”,在时序电路模块中有两个二进制开关“运行控制”和“运行方式”。将“运行控制”开关置为“运行“状态、“运行方式"开关置为“连续”状态时,按动“运行启动"开关,则T3有连续的方波信号输出,此时调节电位器W1,用示波器观察,使T3输出实验要求的脉冲信号;本实验中,“总清"开关置“1",“运行方式"开关置为“单步”状态,每按动一次“启动运行”开关,则T3输出一个正单脉冲,其脉冲宽度与连续方式相同。
在这里插入图片描述

3、给在储器的00地址单元中写入数据11,具体操作步骤如下:
(1)数据开关置数:SWB=1,KD7-KD0=00000000
(2)开输入三态门:CE=1,SWB=0
(3)数据置入地址寄存器:SWB=0,CE=1,LDAR=1,T3脉冲
(4)数据开关置数:LDAR=0,SWB=1,KD0-KD7=00010001
(5)开输入三态门:SWB=0,LDAR=0
(6)数据置入存储器RAM:SWB=0,WE=0,CE=0,LDAR=0,T3脉冲
如果要对其它地址单元写入内容,方法同上,只是输入的地址和内容不同。

4、读出刚才写入00地址单元的内容,观察内容是否与写入的一致。具体操作步骤如下:
(1)数据开关置数:SWB=1,KD7-KD0=00000000
(2)开输入三态门:CE=1,SWB=0
(3)数据置入地址寄存器:SWB=0,CE=1,LDAR=1,T3脉冲
(4)数据从存储器读出:SWB=1,CE=0,WE=0,LDAR=0

实验结果:此时实验箱的总线地址显示部分显示的地址是00000000,即八盏灯全灭,而总线数据显示部分的数据是00010001,即存入地址为00000000的数据为00010001。

实验二

在上面实验步骤的完成的前提之下,将00000000地址中的数据存入另一地址,此处以地址00000111为例
实验步骤:
(1)承接实验一中4.(4)步骤,将ALUB=1,再将LDDR1=1,LDDR2=0,T4脉冲,此时00000000中的数据已经存入到LDDR1中,此时关闭数据输入三态门SWB=1,打开ALU输出三态门ALUB=0,将S1 S2 S3 S4 M置为11111,总线指示灯显示LDDR1中的数据为00010001,说明数据存入LDDR1成功
(2)重复实验一中的步骤(1)—(3)将地址00000111读入地址寄存器,再将LDAR=0,SWB=1,打开ALU输出三态门ALUB=0,将S1 S2 S3 S4 M置为11111,将LDDR1中的数据读出到总线上,再将SWB=0,开输入三态门,再将SWB=0,WE=0,CE=0,LDAR=0,按下T3脉冲,数据存入存储器,此时00000111的地址内部数据为00010001.实验结束。

五、实验结论

1.验证了存储器的读功能和写功能;
2.从本次实验可以看出,数据从一个存储器转移到另一个存储器的过程是不能直接实现的,必须依靠一个中介,但这也在极大程度上造成了时间上的浪费,可以说是很不划算的,尤其是在许多条数据发生转移时;
3.本实验的一个关键在于原本实验的接线是不足以完成实验二的,使用LDDR1作为中介进行数据存储时势必需要跳线,故采用了本实验所写的接线方法。

最后

以上就是机灵小土豆为你收集整理的实验四 存储器实验系列文章目录一、实验目的二、实验原理三、实验接线四、实验步骤五、实验结论的全部内容,希望文章能够帮你解决实验四 存储器实验系列文章目录一、实验目的二、实验原理三、实验接线四、实验步骤五、实验结论所遇到的程序开发问题。

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