【正点原子FPGA连载】第十三章QSPI Flash读写测试实验摘自【正点原子】DFZU2EG_4EV MPSoC之嵌入式Vitis开发指南第十三章QSPI Flash读写测试实验

75 阅读 0 评论 50 点赞

我是靠谱客的博主悦耳黑夜，最近开发中收集的这篇文章主要介绍【正点原子FPGA连载】第十三章QSPI Flash读写测试实验摘自【正点原子】DFZU2EG_4EV MPSoC之嵌入式Vitis开发指南第十三章QSPI Flash读写测试实验，觉得挺不错的，现在分享给大家，希望可以做个参考。

概述

1）实验平台：正点原子MPSoC开发板
2）平台购买地址：https://detail.tmall.com/item.htm?id=692450874670
3）全套实验源码+手册+视频下载地址： http://www.openedv.com/thread-340252-1-1.html

第十三章QSPI Flash读写测试实验

PS的输入/输出外设(IOP)有两个具有不同功能特性和IO接口性能的QSPI控制器。它们共享相同的APB从接口和MIO引脚。一次只能使用控制器中的一个。QSPI控制器可以访问多比特位宽的Flash设备，以实现较少的引脚数达到高吞吐量的应用。
本章我们将通过QSPI Flash控制器，来完成对QSPI Flash的读写操作。本章包括以下几个部分：
1313.1简介
13.2实验任务
13.3硬件设计
13.4软件设计
13.5下载验证

13.1简介

MPSOC中的QSPI Flash控制器分为传统QSPI控制器(LQSPI)和通用QSPI控制器(GQSPI)两个。传统QSPI控制器通过AXI从接口提供了线性可寻址的内存空间。支持引导配置(BOOT)和应用软件配置的就地执行(execute-in-place)。通用QSPI控制器提供I/O，DMA和SPI三种接口模式，不支持引导(BOOT)和就地执行(execute-in-place)。I/O接口配置如下图所示：
在这里插入图片描述

图13.1.1 QSPI I/O接口配置
传统QSPI控制器(LQSPI)只在线性寻址模式下工作。在这种模式下，可以连接一个或两个Flash器件，为了最小化引脚数量，两块Flash可以通过8bit并行模式或者4bit堆叠排列模式连接到传统QSPI控制器。线性地址模式下，控制器通过使用部分器件操作来消除读Flash时的软件开销。QSPI控制器给Flash发送命令，控制Flash总线到AXI接口的数据流。控制器响应AXI接口上的Flash存储器请求，把Flash存储器当作ROM存储器。
通用QSPI控制器(GQSPI)满足软件对通用低级访问的要求。由于QSPI控制器的通用性，软件可以在任何模式下生成任何命令序列。同时，QSPI控制器支持SPI、Dual SPI和Quad SPI模式下的功能。QSPI控制器运行在I/O、DMA和SPI三种模式下。通用QSPI控制器也支持连接一块或两块Flash设备，为了最小化引脚数量，两块Flash可以通过8bit并行模式或者4bit堆叠排列模式连接到通用QSPI控制器。
在通用I/O模式下，软件和存储设备密切交互。软件将Flash命令写到通用FIFO中，并将数据写到TXFIFO。软件读取RXD寄存器，获取从Flash设备接收到的数据。在I/O模式下，通用QSPI控制器消除了写TXFIFO时产生的软件开销。
在通用DMA模式下，内部DMA模块将Flash设备中的数据传输到系统内存中。这种模式避免了用处理器从Flash中读数据，并且消除了TXFIFO中写满来自Flash数据时产生的软件开销。
在SPI模式下，通用QSPI控制器可以作为标准SPI控制器使用。
双QSPI结构框图如下图所示，控制器由一个传统线性QSPI控制器和一个通用QSPI控制器组成。当控制寄存器设置为1时，选择通用QSPI控制器。传统QSPI控制器和通用QSPI控制器共享带延迟线的接收捕获逻辑。
在这里插入图片描述

图13.1.2 双QSPI控制器

13.2实验任务

本章的实验任务是使用QSPI Flash控制器，先后对开发板上的QSPI Flash进行写、读操作。通过对比读出的数据是否等于写入的数据，从而验证读写操作是否正确。
13.3硬件设计
根据实验任务我们可以画出本次实验的系统框图，如下图所示：
在这里插入图片描述

图 13.3.1 系统框图
从图 13.3.1中可以看出，本次实验是在“Hello Wold”实验的基础上增加了一个QSPI Flash控制器。我们将通过该控制器对QSPI Flash进行读写操作，并通过串口打印读写数据对比之后的结果。
首先创建Vivado工程，工程名为“qspi_flash_test”，然后创建Block Design设计（system.bd）并添加Zynq Ultrascale+ MPSOC模块。接下来按照《“Hello World”实验》中的步骤对Zynq Ultrascale+ MPSOC模块进行配置，配置完成后我们要添加本次实验所使用的QSPI Flash控制器模块。如下图所示：
在这里插入图片描述

图 13.3.2 QSPI配置界面
如图 13.3.2所示，在左侧导航栏中选择“I/O Configuraton”，然后在右侧勾选“QSPI”，并选择“Single”模式，QSPI Data Mode选择“x4”，QSPI使用默认的“MIO0…5”。“Single”指的是单个Flash器件。看以看出，该模式下控制器使用了MIO0至MIO5共6个引脚。
最后点击右下角的“OK”，本次实验Zynq Ultrascale+ MPSOC处理系统就配置完成了。配置完成后的模块如下图所示：
在这里插入图片描述

图 13.3.3 Zynq Ultrascale+ MPSOC模块
到这里我们的Block Design就设计完成了，在Diagram窗口空白处右击，然后选择“Validate Design”验证设计。验证完成后弹出对话框提示“Validation Successful”表明设计无误，点击“OK”确认。最后按快捷键“Ctrl + S”保存设计。
接下来在Source窗口中右键点击Block Design设计文件“system.bd”，然后依次执行“Generate Output Products”和“Create HDL Wrapper”。
然后在菜单栏中选择 File > Export > Export hardware，将硬件文件导出到新建的vitis文件夹下，最后在菜单栏选择Tools > Launch Vitis，将路径设置到本工程的vitis文件夹下，启动Vitis软件。

13.4软件设计

在Vitis软件中新建名为“qspi_flash_test”的应用工程。然后为应用工程新建一个源文件“main.c”，我们在新建的main.c文件中输入本次实验的代码。代码的主体部分如下所示：

1    #include "xparameters.h"   /* Vitis generated parameters */
2    #include "xqspipsu.h"      /* QSPIPSU device driver */
3    #include "xil_printf.h"
4    #include "xil_cache.h"
5    
6    //定义flash读写命令
7    #define WRITE_STATUS_CMD   0x01
8    #define WRITE_CMD          0x02
9    #define READ_CMD           0x03
10   #define WRITE_DISABLE_CMD  0x04
11   #define READ_STATUS_CMD        0x05
12   #define WRITE_ENABLE_CMD   0x06
13   #define VOLATILE_WRITE_ENABLE_CMD  0x50
14   #define QUAD_MODE_ENABLE_BIT       0x06
15   #define FAST_READ_CMD      0x0B
16   #define DUAL_READ_CMD      0x3B
17   #define QUAD_READ_CMD      0x6B
18   #define BULK_ERASE_CMD     0xC7
19   #define    SEC_ERASE_CMD       0xD8
20   #define READ_ID                0x9F
21   #define READ_CONFIG_CMD        0x35
22   #define WRITE_CONFIG_CMD   0x01
23   
24   #define READ_CMD_4B            0x13
25   #define FAST_READ_CMD_4B   0x0C
26   #define DUAL_READ_CMD_4B   0x3C
27   #define QUAD_READ_CMD_4B   0x6C
28   
29   #define READ_FLAG_STATUS_CMD   0x70
30   
31   #define COMMAND_OFFSET     0  //Flash instruction
32   #define ADDRESS_1_OFFSET   1  //数据偏移地址的最高位
33   #define ADDRESS_2_OFFSET   2  //数据偏移地址的中间位
34   #define ADDRESS_3_OFFSET   3  //数据偏移地址的最低位
35   #define ADDRESS_4_OFFSET   4  //数据偏移地址为四字节时 最低位
36   
37   #define DATA_OFFSET     5  //Start of Data for Read/Write
38   #define DUMMY_OFFSET    4  //Dummy byte offset for fast, dual and quad reads
39   
40   #define DUMMY_SIZE      1  //Number of dummy bytes for fast, dual and quad reads
41   
42   #define DUMMY_CLOCKS    8  //Number of dummy bytes for fast, dual and quad reads
43   
44   #define RD_ID_SIZE      4  //Read ID command + 3 bytes ID response 
45   #define BULK_ERASE_SIZE 1  //Bulk Erase command size
46   #define SEC_ERASE_SIZE  4  //Sector Erase command + Sector address 
47   #define BANK_SEL_SIZE   2  //BRWR or EARWR command + 1 byte bank value
48   
49   #define RD_CFG_SIZE     2  //1 byte Configuration register + RD CFG command
50   
51   #define WR_CFG_SIZE     3  //WRR command + 1 byte each Status and Config Reg
52   
53   #define DIE_ERASE_SIZE  4  //Die Erase command + Die address
54   
55   #define OVERHEAD_SIZE   4
56   
57   //flash基地址
58   #define FLASH1BASE 0x0000000
59   
60   //16MB
61   #define SIXTEENMB 0x1000000
62   
63   //quad enable mask bit
64   #define FLASH_QUAD_EN_MASK 0x02
65   
66   #define FLASH_SRWD_MASK 0x80
67   
68   // Bank mask
69   #define BANKMASK 0xF000000
70   
71   
72   // Identification of Flash
73   // Micron:
74   // Byte 0 is Manufacturer ID;
75   // Byte 1 is first byte of Device ID - 0xBB or 0xBA
76   // Byte 2 is second byte of Device ID describes flash size:
77   // 128Mbit : 0x18; 256Mbit : 0x19; 512Mbit : 0x20
78   #define MICRON_ID_BYTE0        0x20
79   #define MICRON_ID_BYTE2_128    0x18
80   #define MICRON_ID_BYTE2_256    0x19
81   #define MICRON_ID_BYTE2_512    0x20
82   #define MICRON_ID_BYTE2_1G 0x21
83   #define MICRON_ID_BYTE2_2G 0x22
84   
85   // Spansion:
86   // Byte 0 is Manufacturer ID;
87   // Byte 1 is Device ID - Memory Interface type - 0x20 or 0x02
88   // Byte 2 is second byte of Device ID describes flash size:
89   // 128Mbit : 0x18; 256Mbit : 0x19; 512Mbit : 0x20
90   #define SPANSION_ID_BYTE0  0x01
91   #define SPANSION_ID_BYTE2_64   0x17
92   #define SPANSION_ID_BYTE2_128  0x18
93   #define SPANSION_ID_BYTE2_256  0x19
94   #define SPANSION_ID_BYTE2_512  0x20
95   
96   #define WINBOND_ID_BYTE0   0xEF
97   #define WINBOND_ID_BYTE2_128   0x18
98   
99   #define ISSI_ID_BYTE0      0x9D
100  #define ISSI_ID_BYTE2_08   0x14
101  #define ISSI_ID_BYTE2_16   0x15
102  #define ISSI_ID_BYTE2_32   0x16
103  #define ISSI_ID_BYTE2_64   0x17
104  #define ISSI_ID_BYTE2_128  0x18
105  #define ISSI_ID_BYTE2_256  0x19
106  #define ISSI_ID_BYTE2_512  0x1a
107  
108  #define QSPIPSU_DEVICE_ID      XPAR_XQSPIPSU_0_DEVICE_ID
109  
110  //flash页的数量
111  #define PAGE_COUNT     32
112  
113  //页大小的最大值
114  #define MAX_PAGE_SIZE 1024
115  
116  #define TEST_ADDRESS       0x000000
117  
118  #define UNIQUE_VALUE       0x06
119  
120  /**************************** Type Definitions *******************************/
121  typedef struct{
122     u32 SectSize;         //扇区大小
123     u32 NumSect;          //扇区总个数
124     u32 PageSize;         //页大小
125     u32 NumPage;          //总页数
126     u32 FlashDeviceSize;  //一个存储器件的大小
127     u8 ManufacturerID;    //制造商ID
128     u8 DeviceIDMemSize;   //指出存储容量的器件ID
129     u32 SectMask;         //扇区开始地址掩码
130     u8 NumDie;            // No. of die forming a single flash
131  } FlashInfo;
132  
133  u8 ReadCmd;
134  u8 WriteCmd;
135  u8 StatusCmd;
136  u8 SectorEraseCmd;
137  u8 FSRFlag;
138  
139  /************************** Function Prototypes ******************************/
140  
141  int QspiPsuPolledFlashExample(XQspiPsu *QspiPsuInstancePtr, u16 QspiPsuDeviceId);
142  int FlashReadID(XQspiPsu *QspiPsuPtr);
143  int FlashErase(XQspiPsu *QspiPsuPtr, u32 Address, u32 ByteCount, u8 *WriteBfrPtr);
144  int FlashWrite(XQspiPsu *QspiPsuPtr, u32 Address, u32 ByteCount, u8 Command,
145                 u8 *WriteBfrPtr);
146  int FlashRead(XQspiPsu *QspiPsuPtr, u32 Address, u32 ByteCount, u8 Command,
147                 u8 *WriteBfrPtr, u8 *ReadBfrPtr);
148  u32 GetRealAddr(XQspiPsu *QspiPsuPtr, u32 Address);
149  int BulkErase(XQspiPsu *QspiPsuPtr, u8 *WriteBfrPtr);
150  int FlashEnableQuadMode(XQspiPsu *QspiPsuPtr);
151  /************************** Variable Definitions *****************************/
152  u8 TxBfrPtr;
153  u8 ReadBfrPtr[3];
154  FlashInfo Flash_Config_Table[] = {
155     {SECTOR_SIZE_64K, NUM_OF_SECTORS128, BYTES256_PER_PAGE,
156         0x8000, 0x800000, SPANSION_ID_BYTE0,
157         SPANSION_ID_BYTE2_64, 0xFFFF0000, 1}
158  };
159  
160  u32 FlashMake;
161  u32 FCTIndex;  //闪存配置表的索引
162  
163  //QSPI实例
164  static XQspiPsu QspiPsuInstance;
165  
166  static XQspiPsu_Msg FlashMsg[5];
167  
168  //测试变量 用于产生发送数据
169  int Test = 1;
170  
171  //用于存储读写数据的变量
172  u8 ReadBuffer[(PAGE_COUNT * MAX_PAGE_SIZE) + (DATA_OFFSET + DUMMY_SIZE)*8] __attribute__ ((aligned(64)));
173  u8 WriteBuffer[(PAGE_COUNT * MAX_PAGE_SIZE) + DATA_OFFSET];
174  u8 CmdBfr[8];
175  
176  u32 MaxData = PAGE_COUNT*256;
177  
178  //主函数
179  int main(void)
180  {
181     int Status;
182  
183     xil_printf("QSPIPSU Generic Flash Polled Example Test rn");
184  
185     //调用QspiPsu Polled example
186     Status = QspiPsuPolledFlashExample(&QspiPsuInstance, QSPIPSU_DEVICE_ID);
187     if (Status != XST_SUCCESS) {
188         xil_printf("QSPIPSU Generic Flash Polled Example Failedrn");
189         return XST_FAILURE;
190     }
191  
192     xil_printf("Successfully ran QSPIPSU Generic Flash Polled Examplern");
193     return XST_SUCCESS;
194  }

首先，本次实验的C程序是在官方提供的示例程序“xqspipsu_generic_flash_polled_example.c”的基础上修改得到的，该示例程序演示了如何使用轮询模式对QSPI Flash进行读写操作。
在程序的开头，我们定义了一系列的参数，包括Flash器件的指令、Flash BUFFER中各数据段的偏移量、Flash器件PAGE、SECTOR的数目和大小等信息。这些信息针对不同型号的Flash器件有所不同，需要通过查看器件的数据手册得到。
接下来在程序第141至150行声明了八个函数，这些函数是前面我们提到的示例程序中所提供的。我们对其中的函数QspiPsuPolledFlashExample(XQspiPsu *QspiPsuInstancePtr, u16 QspiPsuDeviceId)、FlashReadID(XQspiPsu *QspiPsuPtr)进行修改，从而简化读写测试过程。而其他的函数如擦除FlashErase( )、写操作FlashWrite( )、读操作FlashRead( )等，改动不大。
程序的主函数特别简单，就是通过调用修改之后的示例函数QspiPsuPolledFlashExample ( )来对Flash进行读写测试，并打印最终的测试结果。下面是该示例函数的代码：

198  int QspiPsuPolledFlashExample(XQspiPsu *QspiPsuInstancePtr, u16 QspiPsuDeviceId)
199  {
200     u8 UniqueValue;
201     int Count;
202     int Page;
203     XQspiPsu_Config *QspiPsuConfig;
204     int ReadBfrSize;
205  
206     ReadBfrSize = (PAGE_COUNT * MAX_PAGE_SIZE) +
207             (DATA_OFFSET + DUMMY_SIZE)*8;
208  
209     //根据ID查找Qspi配置信息
210     QspiPsuConfig = XQspiPsu_LookupConfig(QspiPsuDeviceId);
211     if (QspiPsuConfig == NULL) {
212         return XST_FAILURE;
213     }
214  
215     //初始化Qspi
216     XQspiPsu_CfgInitialize(QspiPsuInstancePtr, QspiPsuConfig,
217                     QspiPsuConfig->BaseAddress);
218  
219     //设置Options
220     XQspiPsu_SetOptions(QspiPsuInstancePtr, XQSPIPSU_MANUAL_START_OPTION);
221  
222     //为qspi时钟设置分频系数
223     XQspiPsu_SetClkPrescaler(QspiPsuInstancePtr, XQSPIPSU_CLK_PRESCALE_8);
224  
225     XQspiPsu_SelectFlash(QspiPsuInstancePtr,
226         XQSPIPSU_SELECT_FLASH_CS_LOWER,
227         XQSPIPSU_SELECT_FLASH_BUS_LOWER);
228  
229     //读Flash ID
230     FlashReadID(QspiPsuInstancePtr);
231  
232  
233     //Initialize MaxData according to page size.
234  
235     MaxData = PAGE_COUNT * (Flash_Config_Table[FCTIndex].PageSize);
236  
237     //使能flash quad模式
238     FlashEnableQuadMode(QspiPsuInstancePtr);
239  
242     //Address size and read command selection
243     ReadCmd = QUAD_READ_CMD;
244     WriteCmd = WRITE_CMD;
245     SectorEraseCmd = SEC_ERASE_CMD;
246  
247     /* Status cmd - SR or FSR selection */
248     if ((Flash_Config_Table[FCTIndex].NumDie > 1) &&
249             (FlashMake == MICRON_ID_BYTE0)) {
250         StatusCmd = READ_FLAG_STATUS_CMD;
251         FSRFlag = 1;
252     } else {
253         StatusCmd = READ_STATUS_CMD;
254         FSRFlag = 0;
255     }
256  
257     for (UniqueValue = UNIQUE_VALUE, Count = 0;
258             Count < Flash_Config_Table[FCTIndex].PageSize;
259             Count++, UniqueValue++) {
260         WriteBuffer[Count] = (u8)(UniqueValue + Test);
261     }
262  
263     for (Count = 0; Count < ReadBfrSize; Count++) {
264         ReadBuffer[Count] = 0;
265     }
266  
267     //擦除flash
268     FlashErase(QspiPsuInstancePtr, TEST_ADDRESS, MaxData, CmdBfr);
269  
270     for (Page = 0; Page < PAGE_COUNT; Page++) {
271         FlashWrite(QspiPsuInstancePtr,
272                 (Page * Flash_Config_Table[FCTIndex].PageSize) + TEST_ADDRESS,
273                 Flash_Config_Table[FCTIndex].PageSize,
274                 WriteCmd, WriteBuffer);
275     }
276  
277     //从flash中读出数据
278     FlashRead(QspiPsuInstancePtr, TEST_ADDRESS, MaxData, ReadCmd,
279                 CmdBfr, ReadBuffer);
280  
281     //读出的数据和写入的数据对比
282     for (UniqueValue = UNIQUE_VALUE, Count = 0; Count < MaxData;
283          Count++, UniqueValue++) {
284         if (ReadBuffer[Count] != (u8)(UniqueValue + Test)) {
285             return XST_FAILURE;
286         }
287     }
288  
289     return XST_SUCCESS;
290  }

在示例函数中，首先查找QSPI Flash控制器配置信息，接着对控制器驱动进行初始化，如代码的第210行至217行所示。向WriteBuffer中写入数据，然后将WriteBuffer中的数据写到Flash中，如代码第270行至第275行所示。注意在写Flash之前，调用FlashErase( )函数对Flash进行擦除，这是因为Flash写操作只能将1写成0，不能将0写成1，而擦除操作才能将0写成1。
最后，在程序的第282至287行，通过对比写入BUFFER的数据与读BUFFER中的数据是否一致，从而判断Flash读写测试实验是否成功。
程序的剩余部分是前面所声明的一系列操作Flash的函数的实现，因为我们将其当作库函数直接调用，因此代码就不再贴出来了。大家有兴趣的话也可以研究一下，这些函数是如何将读写指令和数据转换成QSPI Flash所要求的命令格式的。实际上，这些函数的功能也都是通过调用xqspipsu.h头文件中的库函数XQspiPsu_PolledTransfer( )来实现的。
13.5下载验证
首先我们将下载器与开发板上的JTAG接口连接，下载器另外一端与电脑连接。然后使用USB连接线将开发板的USB_UART接口(PS PORT)与电脑连接，用于串口通信。最后连接开发板的电源，给开发板供电。
打开Vitis Terminal终端，设置并连接串口。然后下载本次实验的程序，下载完成后，在下方的Terminal中可以看到应用程序打印的信息“Successfully ran QSPIPSU Generic Flash Polled Test”，如下图所示：
在这里插入图片描述