概述
目录
一、DRAM功能模型
二、DRAM常见失效机制
三、DRAM常见故障模型
一、DRAM功能模型
二、DRAM常见失效机制
1、SRAM常见失效机制:
- 访问失效:在读操作时,弱电流访问晶体管操作或弱电流下拉晶体管操作会导致位线放电
- 翻转读失效:在读操作时,较强电流访问晶体管操作或者弱电流下拉晶体管操作会导致SRAM单元的内容产生干扰
- 写失效:在写操作时,较强电流上拉晶体管操作会把交叉耦合翻转器的跳变点调成高电压,导致写操作失败
- 保持失效:即使在SRAM单元未被访问的时候,它保存的内容出现异常
2、灵敏放大器失效
3、地址的解码器失效
地址解码器的延时也会受到单个晶体管阈值电压偏差的影响。地址解码器的延时偏差会导致访问SRAM单元的时间缩短。这将直接引起对SRAM单元的访问失效或读失效。地址解码器失效的概率可以通过解码器的统计延时分布得出。
三、DRAM常见故障模型
故障类型:故障类型之间其实有很多是相重合的,但是我们针对某一种表现表现给予了具体的定义。只要符合这种定义,就可以称该类型的故障,并不需要就是究竟是否为对应故障。
1、地址解码器故障
(1)AF(Address-Decoder Faults)
一般有以下几种错误类型
- Fault1:对应地址没有可访问的cell单元
- Fault2:对应cell单元没有可以被访问的地址
- Fault3:一个地址可以访问多个cell单元
- Fault4:一个cell单元可以被多个地址访问
2、读写逻辑模块故障
(1)BF(Bridge Fault)- 桥接故障(短路故障)
共有两种:
- Fault1:对地短路
- Fault2:对电源短路
区分方法:测试算法中需要写入不同的pattern值来进行判断
(2)SOF(Stuck-Open Fault)- 开路故障
cell单元无法被访问
3、存储单元阵列故障
(1)SAF(Stuck-At Fault)- 固定故障
SAF:单元/连线 的逻辑值总为0或者1的故障,并且故障的逻辑值不变
(2)TF(Transition Fault)- 转换故障
TF:转换故障是SAF的一种特殊情况,当写数据时,某一存储单元失效使得 0=>1 或者 1=>0 的转变不能发生。
(3)CF(Coupling Fault)- 耦合故障
CF:某一单元的状态或其状态的变化将会影响到另一内存单元的状态,故CF故障又可以细分为三种故障
- CFin(Inversion Coupling Fault)- 倒置耦合故障
CFin:一个内存单元写0 或 写1操作将使另一个内存单元的逻辑值倒置,即由 0=>1 或者 1=>0
共用2种倒置耦合故障:CF(↑;↕)、CF(↓;↕) [↑表示由0=>1变化; ↓表示1=>0变化; ↕表示翻转]
- CFid(Idempotent Coupling Fault)- 固化耦合故障
CFid:一个内存单元写0 或 写1 操作将使另一个内存单元的值固定在一个确定值,可能为0,也可能为1
共有4中固化耦合故障:CF(↑;0)、CF(↑;1)、CF(↓;0)、CF(↓;1)
- CFst(State Coupling Fault)- 状态耦合故障
CFst:一个内存单元的值决定另一个内存单元的值
共有4中状态耦合故障:(0;0)、(0;1)、(1;0)、(1;1)
(4)NPSF(Neighborhood Pattern Sensitive Fault)- 相邻矢量敏化故障
NPSF:一个单元因相邻单元的活动导致状态不正确
4、补充故障类型
除了上述的故障类型外,根据JEDEC手册,还可以有IDD电流故障、模式寄存器故障、Self Refresh故障等......
最后
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