IC基础：解决低功耗问题
参考首先，功耗的来源静态功耗：主要由漏电流产生。动态功耗：短路功耗（反相器pmos,nmos同时导通时相当于短路），翻转功耗（电平翻转过程中输出端电容充放电）。静态低功耗技术多阈值工艺（Muti-vt design）阈值电压vt越低，越容易翻转，速度越快，漏电流越大，静态功耗越大；反之，阈值电压越高，越不容易翻转，速度越慢，漏电流越小，静态功耗越小。电源门控（power gating）动态低功耗技术多电压域（muti-voltage domain），电压隔离单元
