概述
参考
参考
- 首先，功耗的来源
- 静态功耗：
主要由漏电流产生。 - 动态功耗：
短路功耗（反相器pmos,nmos同时导通时相当于短路），翻转功耗（电平翻转过程中输出端电容充放电）。
- 静态低功耗技术
- 多阈值工艺（Muti-vt design）
阈值电压vt越低，越容易翻转，速度越快，漏电流越大，静态功耗越大；反之，阈值电压越高，越不容易翻转，速度越慢，漏电流越小，静态功耗越小。 - 电源门控（power gating）
- 动态低功耗技术
- 多电压域（muti-voltage domain），电压隔离单元（Isolation Cell）
- 门控时钟（clock gating）低电平有效latch加与门，高电平有效latch加或门
- 优化编码（格雷码），降低翻转功耗
- 动态调频调压
===========================================2022.03.22
最后
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