概述
120W costdown版本上一板单体Q2温度只有90度，后面因为初级侧电容电感变更，重新lay板，次级侧的位置也稍微改动了一下，把MOS的吸收回路放在了反面，次级侧就改动了这一点，但是Q2温度就比原来高了10度。
分析了MOS本身，散热，效率，吸收电容电阻放到上面，都没有任何效果。也看了MOS的Vds电压，工作频率，甚至死区时间，都没发现问题，新旧版本都差不多。
这个问题尚未解决，待重新lay板还原为原来的布局，看看温度会不会降下来！
重新lay板后，加了小板，Q2还在主板上，不加散热胶的话是100度，加了散热胶是94度左右！
最后
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