概述
在TC4056A充电电路基础上增加过充电过放电保护电路，更好的保护充电电池。
过充电保护：
正常状态下， 对电池进行充电， 如果使VDD端电压升高超过过电压充电保护阈值VOC， 且持续时间超过过电压充电保护延迟时间tOC， 则DW01F将使充电控制端COUT由高电平转为VM端电平（低电平）， 从而使外接充电控制N-MOS管Q1关闭， 充电回路被“切断”， 即DW01F进入过电压充电保护状态。
过放电保护：
正常状态下， 如果电池放电使VDD端电压降低至过电压放电保护阈值VOD， 且持续时间超过过电压放电保
护延迟时间tOD， 则DW01F将使放电控制端DOUT由高电平转为VSS端电平（ 低电平）， 从而使外接放电控制
N-MOS管Q2 关闭， 放电回路被“切断”， 即DW01F进入过电压放电保护状态。 同时， VM端电压将通过内部电
阻RVMD被上拉到VDD。
过电流放电或电池短路保护：
正常状态下， 通过负载对电池放电DW01F电路的VM端电压将随放电电流的增加而升高。 如果放电电流增加使 VM 端电压超过过电流放电保护阈值VOI1， 且持续时间超过过电流放电保护延迟时间TOI1， 则DW01F进入过电流放电保护状态； 如果放电电流进一步增加使VM 端电压超过电池短路保护阈值VOI2， 且持续时间超过短路延迟时间TOI2， 则DW01F进入电池短路保护状态。DW01F处于过电流放电/电池短路保护状态时， DOUT端将由高电平转为VSS端电平， 从而使外接放电控制N-MOS 管Q2关闭， 放电回路被“切断” ； 同时， VM端将通过内部电阻RVMS连接到VSS， 放电负载取消后，VM端电平即变为VSS端电平。
与DW01FA相接的MOS管选用的是8205A，两个N沟道MOS管。
参考电路如下：
最后
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