在微电子器件领域，针对SiC器件的研究较多，已经取得了较大进展，而在MEMS领域针对SiC器件的研究仍有许多问题亟待解决。在国内，SiC MEMS的研究非常少，因而进行SiC高温MEMS压力传感器的研究具有开创意义。碳化硅(SiC)具有优良的耐高温，抗腐蚀，抗辐射性能，因而使用SiC来制作压力传感器，能够克服Si器件高温下电学、机械、化学性能下降的缺陷，稳定工作于高温环境，具有光明的应用前景。
最后
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