概述
单片机:STM32F103C8T6
此功能每次单片机上电先读取Flash数据,然后将数据写入Flash再串口打印。
读出的数据累加再次写入Flash
这样每次关机后再上电就会继上一次的数累加,实现断电保存数据功能
flash.c
#include "flash.h"
uint32_t FlashData;
uint32_t Flashaddr = 0x08007000;
void writeFlashTest(uint32_t writeFlashaddr,uint32_t writeFlashData)//FLASH写入数据
{
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁FLASH
FLASH_EraseInitTypeDef f; //初始化FLASH_EraseInitTypeDef
f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;//标明Flash执行页面只做擦除操作
f.PageAddress = Flashaddr; //声明要擦除的地址
f.NbPages = 1; //说明要擦除的页数,此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
//一些MCU一页是1KB,一些MCU一页是2KB
uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
HAL_FLASHEx_Erase(&f, &PageError); //调用擦除函数
HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, Flashaddr, writeFlashData);//对FLASH烧写
HAL_FLASH_Lock(); //锁住FLASH
}
uint32_t readFlashTest(uint32_t writeFlashaddr) //FLASH读取数据
{
uint32_t readFlashData = *(__IO uint32_t*)(writeFlashaddr); //*(__IO uint16_t *)是读取该地址的参数值,其值为16位数据,一次读取两个字节,*(__IO uint32_t *)就一次读4个字节
return readFlashData;
}
flash.h
#ifndef __FLASH_H__
#define __FLASH_H__
#include "main.h"
extern uint32_t FlashData;
extern uint32_t Flashaddr;
void writeFlashTest(uint32_t writeFlashaddr,uint32_t writeFlashData);//FLASH写入数据
uint32_t readFlashTest(uint32_t writeFlashaddr); //FLASH读取数据
#endif
在main函数中先读取数据
再写入和打印
HAL_Delay(2000);
printf("The MCU powers on..............rn");
FlashData=readFlashTest(Flashaddr);
while(1)
{
writeFlashTest(Flashaddr,FlashData); //往 Flashaddr 地址里写 FlashData
readFlashTest(Flashaddr);//读Flashaddr 地址里的数据 readFlashData
printf("addr:0x%x, data:0x%xrn", Flashaddr, readFlashTest(Flashaddr));
FlashData++;
HAL_Delay(1000);
}
最后
以上就是调皮红酒为你收集整理的STM32 读写Flash (HAL)的全部内容,希望文章能够帮你解决STM32 读写Flash (HAL)所遇到的程序开发问题。
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