简单说一说闩锁效应LUP

闩锁效应，latch up，是个非常重要的问题。现在的芯片设计都不可避免的要考虑它。我今天就简单地梳理一下LUP的一些问题。

啥是所谓的latch up呢？一句话总结起来很简单：CMOS中形成了两个BJT，基极和集电极接在了一起，形成正反馈回路，电流大到一定程度可能会使芯片失效甚至烧坏芯片。这两个BJT其实就是一个npnp的结构，pmos的源/漏、n阱、nmos的p衬底构成一个pnp的BJT，而pmos的n阱、nmos的p衬底、nmos的源漏构成一个npn的BJT。这两个BJT共用了nmos的p substrate、pmos的n well，其等效电路图相当于这两个BJT的base和collector接在一起了。我在网上随便找了个图大家可以参考，图中的各种电阻啥的可以忽略，就看三极管怎么连的就行。

重点来了，假设现在有一个扰动，使得pmos的n well电势小于Vdd，其电势差大于PNP的开启电压，发射极正偏，PNP就工作在放大状态了，集电极出来的放大的电流将是基极电流的一个倍数，而这个电流也相当于NPN基极电流，此时NPN也会在放大区，NPN放大出来的电流又是PNP的基极电流。这就形成了一个正反馈的回路，你放大我，我放大你，只要这两个放大系数之积大于1，那么这里的电流就会越来越大，直至爆炸。

开个玩笑，爆炸应该是不会爆炸的，但是芯片停止工作是一定的。这个时候就只能把芯片断电，然后重新开启才行了——前提是芯片电路没有被烧坏。想想如果一个芯片隔一会必须断电一次，那谁受得了，所以这个latch up一定要消除才行。我就讲一讲目前我所能理解的集中消除latch up的方法。

第一，从源头出发，既然latch up的发生来自于扰动，那我们就尽量消除这个扰动对我们cell的影响。我这里所谓的扰动，基本都是来自于静电，所以越靠近IO的cell越要注意latch up的问题。一般来说，越靠近IO的cell所要遵循的LUP rule越严格。一种方法是加guard ring，可以减小噪声和静电的影响。这也是我目前唯一知道的方法哈哈。

第二，可以在BJT的放大系数上做文章。只要能保证两个BJT的beta之积小于1，就能有效消除latch up。一种方法是尽量让nmos和pmos隔的远一些，这个具体原理我还不是很清楚，需要非常深入的器件知识才行。

第三，尽量保证BJT基极与发射极电势相差不大，也就是不让BJT工作在放大区。一种方法是把n well接Vdd，p substrate接Vss。注意，这里可能就有疑惑了，我在上学的时候学的标准的CMOS本来就是n well接Vdd，p substrate接Vss的呀。实际上在老的工艺貌似确实是是这样，每一个cell都是这么接，但是这样会有点浪费面积。现在的工艺cell的layout应该不会画这部分了，而是需要我们后端摆放cell时候加进来tap cell，其作用就是接n well和p substrate到Vss和Vdd上。因为std cell一个一个排在一起的时候，它们的n well和p substrate是公用的，所以不需要每个cell都连，只需要隔一段距离摆一个tap cell就行了。这个方法可能也是和我们后端关系最大的了，前两种多是layout要考虑的吧。

另外还有别的方法，我目前还不知道。Latch up和ESD防护这一块要考虑的东西还有很多，我还要继续学习才行啊。

微信公众号：伟酱的芯片后端之路

最后

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