计算机论文排版总结,大学计算机 论文排版作业

目录

摘要 ..................................................................... 1

1实验 .................................................................... 3 2结果与讨论

2.1薄膜的结构与形貌 ..................................................... 3

2.2薄膜的电学和光学特性 ................................................. 5

3结论 ......................................................................................................................................... 8

Effects of Annealing on Properties of ZnO／Cu／ZnO

Transparent Conductive Film

李文英，钟建，张柯，汪元元，尹桂林，何丹农。

LiWen—ying1，ZHONG Jian2，ZHANG Ke2 WANG Yuan—yuan2，

YIN Gui一1in2．HE Dan—nong1’2

(1上海交通大学材料科学与工程学院，上海200240； 2纳米技术及应用国家工

程研究中心，上海200241) (1 School of Materials Science and

Engineering．Shanghai Jiao Tong University，Shanghai 200240，China；2 National Engineering Research Center for Nanotechnology，Shanghai 200241，

China)

摘要：室温下利用磁控溅射制备了ZnO／Cu／ZnO透明导电薄膜，采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测量仪和紫外一可见分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学及光学等性能与退火温度之间的关系。结果表明：退火前后薄膜均具有ZnO(002)择优取向，随着退火温度的升高，薄膜的晶化程度、晶粒粒径及粗糙度增加，薄膜电阻率先降低后升高，光学透过率和禁带宽度先升高后降低。150。C下真空退火的ZnO／Cu／ZnO薄膜的性能最佳，最高可见光透光率为90．5％，电阻率为1．28×10-4Q·cIn，载流子浓度为4．10×1021 cm 。

关键词：退火；ZnO；Cu；透明导电薄膜

中图分类号：TN304；0484 文献标识码：A 文章编号：1001—4381(2015)01—0044