BJT与MOSFET与IGBT的区别
一.MOSFET与IGBT的区别从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET 的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合，通过背面P型层空穴降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流问题，从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有，MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右，结构如
