中芯国际40nm工艺的ReRAM存储芯片出样:读取速度比NAND快1000倍 目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片（非易失性阻变式存储器）。 2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际 硬盘存储 2022-04-15 121 点赞 1 评论 183 浏览
