概述
3位sar adc采用下图的电容阵列,需要23个电容,它的基本单元有二进制加权的电容阵列、1个与LSB电容等值的电容;它利用电容上的初始电荷再分配完成二进制搜索算法,因此功耗一般比较小,而且不需要额外的采样保持电路1。
上一篇文章《一种4位sar adc工作过程推导(二)》讨论了两个参考电压VrefP和VrefN取值的一般情况,可以通过改变电路的结构和开关时序逻辑来满足参考电压VrefP和VrefN取值的一般情况。
下面针对前文《一种3位sar adc工作过程推导》提出的3位sar adc的电路结构进行稍微修改,修改后的电路如下图:所有电容的正端(也称为上极板)与比较器的同相端连接,比较器反相端接VrefN,下面对其工作过程进行大致分析
两个参考电压 V r e f P V_{refP} VrefP和 V r e f N V_{refN} VrefN, V − = V r e f N V_{-}=V_{refN} V−=VrefN,假设 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N < V i n < 6 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}<V_{in}<frac{6}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 85(VrefP−VrefN)+VrefN<Vin<86(VrefP−VrefN)+VrefN
分析过程:
step 0:采样阶段
ϕ 1 phi_{1} ϕ1开关闭合,比较器同相端都接Vin;同时让电容负端都接参考电压VrefP
电容上存储的电荷量 Q = ( V i n − V r e f P ) ⋅ 8 C Q=(V_{in}-V_{refP})cdot8C Q=(Vin−VrefP)⋅8C
比较器同相端电压 V + = V i n V_{+}=V_{in} V+=Vin
step 1:电荷再分配阶段(电压比较阶段)
首先将开关
ϕ
1
phi_{1}
ϕ1断开,电容4C的负端接VrefN,其余电容保持接VrefP不变
根据电容上的电荷量相等,可得
( V + − V r e f P ) ⋅ 4 C + ( V + − V r e f N ) ⋅ 4 C = ( V i n − V r e f P ) ⋅ 8 C begin{aligned} &(V_{+}-V_{refP})cdot4C+(V_{+}-V_{refN})cdot4C=(V_{in}-V_{refP})cdot8C end{aligned} (V+−VrefP)⋅4C+(V+−VrefN)⋅4C=(Vin−VrefP)⋅8C
⇒ V + = V i n − 1 2 ( V r e f P − V r e f N ) Rightarrow V_{+}=V_{in}-frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN}) ⇒V+=Vin−21(VrefP−VrefN)
则
V
+
−
V
−
=
V
i
n
−
1
2
(
V
r
e
f
P
−
V
r
e
f
N
)
−
V
r
e
f
N
=
V
i
n
−
[
1
2
(
V
r
e
f
P
−
V
r
e
f
N
)
+
V
r
e
f
N
]
begin{aligned} V_{+}-V_{-}&=V_{in}-frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})-V_{refN}\ &=V_{in}-[frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] end{aligned}
V+−V−=Vin−21(VrefP−VrefN)−VrefN=Vin−[21(VrefP−VrefN)+VrefN]
第1次:
V
i
n
V_{in}
Vin与
1
2
(
V
r
e
f
P
−
V
r
e
f
N
)
+
V
r
e
f
N
frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}
21(VrefP−VrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为高电平,即最高位D2=1
step 2:电荷再分配阶段(电压比较阶段)
因为最高位D2=1,所以电容2C的负端接VrefN;电容4C的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得
( V + − V r e f P ) ⋅ 2 C + ( V + − V r e f N ) ⋅ 6 C = ( V i n − V r e f P ) ⋅ 8 C begin{aligned} &(V_{+}-V_{refP})cdot2C+(V_{+}-V_{refN})cdot6C=(V_{in}-V_{refP})cdot8C end{aligned} (V+−VrefP)⋅2C+(V+−VrefN)⋅6C=(Vin−VrefP)⋅8C
⇒ V + = V i n − 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) Rightarrow V_{+}=V_{in}-frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN}) ⇒V+=Vin−43(VrefP−VrefN)
则
V
+
−
V
−
=
V
i
n
−
3
4
(
V
r
e
f
P
−
V
r
e
f
N
)
=
V
i
n
−
[
3
4
(
V
r
e
f
P
−
V
r
e
f
N
)
+
V
r
e
f
N
]
begin{aligned} V_{+}-V_{-}&=V_{in}-frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})\ &=V_{in}-[frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] end{aligned}
V+−V−=Vin−43(VrefP−VrefN)=Vin−[43(VrefP−VrefN)+VrefN]
第2次:
V
i
n
V_{in}
Vin与
3
4
(
V
r
e
f
P
−
V
r
e
f
N
)
+
V
r
e
f
N
frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}
43(VrefP−VrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为低电平,即次高位D1=0
step 3:电荷再分配阶段(电压比较阶段)
因为最高位D2=1且次高位D1=0,所以电容C的负端接VrefN;电容2C的负端接VrefP,电容4C的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得
( V + − V r e f P ) ⋅ 3 C + ( V + − V r e f N ) ⋅ 5 C = ( V i n − V r e f P ) ⋅ 8 C begin{aligned} &(V_{+}-V_{refP})cdot3C+(V_{+}-V_{refN})cdot5C=(V_{in}-V_{refP})cdot8C end{aligned} (V+−VrefP)⋅3C+(V+−VrefN)⋅5C=(Vin−VrefP)⋅8C
⇒ V + = V i n − 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) Rightarrow V_{+}=V_{in}-frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN}) ⇒V+=Vin−85(VrefP−VrefN)
则
V
+
−
V
−
=
V
i
n
−
5
8
(
V
r
e
f
P
−
V
r
e
f
N
)
=
V
i
n
−
[
5
8
(
V
r
e
f
P
−
V
r
e
f
N
)
+
V
r
e
f
N
]
begin{aligned} V_{+}-V_{-}&=V_{in}-frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})\ &=V_{in}-[frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] end{aligned}
V+−V−=Vin−85(VrefP−VrefN)=Vin−[85(VrefP−VrefN)+VrefN]
第3次:
V
i
n
V_{in}
Vin与
5
8
(
V
r
e
f
P
−
V
r
e
f
N
)
+
V
r
e
f
N
frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}
85(VrefP−VrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为高电平,即最低位D0=1
所以3位sar adc输出数字码为D2D1D0=101
小结
- 输入电压Vin首先与 1 2 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 21(VrefP−VrefN)+VrefN进行比较,然后根据比较器输出结果(0或1)来选择下一个参考电压进行比较,当输出为1,则与 ( 1 2 + 1 4 ) ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N (frac{1}{2}+frac{1}{4})(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} (21+41)(VrefP−VrefN)+VrefN进行比较;若输出为0,则与 ( 1 2 − 1 4 ) ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N (frac{1}{2}-frac{1}{4})(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} (21−41)(VrefP−VrefN)+VrefN进行比较,。依次类推,比较器输出结果就可以等效地控制参考电压的改变。
下图直观反映了3次比较的状态,令
V
r
e
f
=
V
r
e
f
P
−
V
r
e
f
N
V_{ref}=V_{refP}-V_{refN}
Vref=VrefP−VrefN.
注意每个参考电压还需要加上VrefN
- 当采样阶段结束后,断开开关 ϕ 1 phi_{1} ϕ1,进入电荷再分配阶段,各个电容的负端(下极板)所接的电压值与**比较器同相端电压 V + V_{+} V+**的关系如下表,从表中可以看出大致规律。
C | C | 2C | 4C | V + V_{+} V+ |
---|---|---|---|---|
VrefP | VrefP | VrefP | VrefP | V i n V_{in} Vin |
VrefP | VrefN | VrefP | VrefP | V i n − 1 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{1}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin−81(VrefP−VrefN) |
VrefP | VrefP | VrefN | VrefP | V i n − 2 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{2}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin−82(VrefP−VrefN) |
VrefP | VrefN | VrefN | VrefP | V i n − 3 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{3}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin−83(VrefP−VrefN) |
VrefP | VrefP | VrefP | VrefN | V i n − 4 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{4}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin−84(VrefP−VrefN) |
VrefP | VrefN | VrefP | VrefN | V i n − 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin−85(VrefP−VrefN) |
VrefP | VrefP | VrefN | VrefN | V i n − 6 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{6}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin−86(VrefP−VrefN) |
VrefP | VrefN | VrefN | VrefN | V i n − 7 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{7}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin−87(VrefP−VrefN) |
- 所以初步得出结论:这个sar adc电路可以满足参考电压VrefP和VrefN取值的一般情况。
欢迎评论,一起交流!如有错误,欢迎大家批评指正!
参考文献
- [1] 逐次逼近型ADC
最后
以上就是大意火为你收集整理的一种3位sar adc工作过程推导(二)的全部内容,希望文章能够帮你解决一种3位sar adc工作过程推导(二)所遇到的程序开发问题。
如果觉得靠谱客网站的内容还不错,欢迎将靠谱客网站推荐给程序员好友。
发表评论 取消回复