我是靠谱客的博主 大意火,最近开发中收集的这篇文章主要介绍一种3位sar adc工作过程推导(二),觉得挺不错的,现在分享给大家,希望可以做个参考。

概述

3位sar adc采用下图的电容阵列,需要23个电容,它的基本单元有二进制加权的电容阵列、1个与LSB电容等值的电容;它利用电容上的初始电荷再分配完成二进制搜索算法,因此功耗一般比较小,而且不需要额外的采样保持电路1

上一篇文章《一种4位sar adc工作过程推导(二)》讨论了两个参考电压VrefP和VrefN取值的一般情况,可以通过改变电路的结构和开关时序逻辑来满足参考电压VrefP和VrefN取值的一般情况。

下面针对前文《一种3位sar adc工作过程推导》提出的3位sar adc的电路结构进行稍微修改,修改后的电路如下图:所有电容的正端(也称为上极板)与比较器的同相端连接,比较器反相端接VrefN,下面对其工作过程进行大致分析

3bit_adc原理图(二)

两个参考电压 V r e f P V_{refP} VrefP V r e f N V_{refN} VrefN V − = V r e f N V_{-}=V_{refN} V=VrefN,假设 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N < V i n < 6 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}<V_{in}<frac{6}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 85(VrefPVrefN)+VrefN<Vin<86(VrefPVrefN)+VrefN



分析过程:

step 0:采样阶段

3bit_adc采样阶段(二)

ϕ 1 phi_{1} ϕ1开关闭合,比较器同相端都接Vin;同时让电容负端都接参考电压VrefP

电容上存储的电荷量 Q = ( V i n − V r e f P ) ⋅ 8 C Q=(V_{in}-V_{refP})cdot8C Q=(VinVrefP)8C

比较器同相端电压 V + = V i n V_{+}=V_{in} V+=Vin

step 1:电荷再分配阶段(电压比较阶段)

3bit_adc_step1(二)

首先将开关 ϕ 1 phi_{1} ϕ1断开,电容4C的负端接VrefN,其余电容保持接VrefP不变
根据电容上的电荷量相等,可得

( V + − V r e f P ) ⋅ 4 C + ( V + − V r e f N ) ⋅ 4 C = ( V i n − V r e f P ) ⋅ 8 C begin{aligned} &(V_{+}-V_{refP})cdot4C+(V_{+}-V_{refN})cdot4C=(V_{in}-V_{refP})cdot8C end{aligned} (V+VrefP)4C+(V+VrefN)4C=(VinVrefP)8C

⇒ V + = V i n − 1 2 ( V r e f P − V r e f N ) Rightarrow V_{+}=V_{in}-frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN}) V+=Vin21(VrefPVrefN)


V + − V − = V i n − 1 2 ( V r e f P − V r e f N ) − V r e f N = V i n − [ 1 2 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N ] begin{aligned} V_{+}-V_{-}&=V_{in}-frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})-V_{refN}\ &=V_{in}-[frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] end{aligned} V+V=Vin21(VrefPVrefN)VrefN=Vin[21(VrefPVrefN)+VrefN]
第1次: V i n V_{in} Vin 1 2 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 21(VrefPVrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为高电平,即最高位D2=1

step 2:电荷再分配阶段(电压比较阶段)

3bit_adc_step2(二)

因为最高位D2=1,所以电容2C的负端接VrefN;电容4C的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得

( V + − V r e f P ) ⋅ 2 C + ( V + − V r e f N ) ⋅ 6 C = ( V i n − V r e f P ) ⋅ 8 C begin{aligned} &(V_{+}-V_{refP})cdot2C+(V_{+}-V_{refN})cdot6C=(V_{in}-V_{refP})cdot8C end{aligned} (V+VrefP)2C+(V+VrefN)6C=(VinVrefP)8C

⇒ V + = V i n − 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) Rightarrow V_{+}=V_{in}-frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN}) V+=Vin43(VrefPVrefN)


V + − V − = V i n − 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) = V i n − [ 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N ] begin{aligned} V_{+}-V_{-}&=V_{in}-frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})\ &=V_{in}-[frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] end{aligned} V+V=Vin43(VrefPVrefN)=Vin[43(VrefPVrefN)+VrefN]
第2次: V i n V_{in} Vin 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 43(VrefPVrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为低电平,即次高位D1=0

step 3:电荷再分配阶段(电压比较阶段)

3bit_adc_step3(二)

因为最高位D2=1且次高位D1=0,所以电容C的负端接VrefN;电容2C的负端接VrefP,电容4C的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得

( V + − V r e f P ) ⋅ 3 C + ( V + − V r e f N ) ⋅ 5 C = ( V i n − V r e f P ) ⋅ 8 C begin{aligned} &(V_{+}-V_{refP})cdot3C+(V_{+}-V_{refN})cdot5C=(V_{in}-V_{refP})cdot8C end{aligned} (V+VrefP)3C+(V+VrefN)5C=(VinVrefP)8C

⇒ V + = V i n − 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) Rightarrow V_{+}=V_{in}-frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN}) V+=Vin85(VrefPVrefN)


V + − V − = V i n − 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) = V i n − [ 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N ] begin{aligned} V_{+}-V_{-}&=V_{in}-frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})\ &=V_{in}-[frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] end{aligned} V+V=Vin85(VrefPVrefN)=Vin[85(VrefPVrefN)+VrefN]
第3次: V i n V_{in} Vin 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 85(VrefPVrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为高电平,即最低位D0=1

所以3位sar adc输出数字码为D2D1D0=101


小结

  • 输入电压Vin首先与 1 2 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 21(VrefPVrefN)+VrefN进行比较,然后根据比较器输出结果(0或1)来选择下一个参考电压进行比较,当输出为1,则与 ( 1 2 + 1 4 ) ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N (frac{1}{2}+frac{1}{4})(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} (21+41)(VrefPVrefN)+VrefN进行比较;若输出为0,则与 ( 1 2 − 1 4 ) ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N (frac{1}{2}-frac{1}{4})(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} (2141)(VrefPVrefN)+VrefN进行比较,。依次类推,比较器输出结果就可以等效地控制参考电压的改变。

下图直观反映了3次比较的状态,令 V r e f = V r e f P − V r e f N V_{ref}=V_{refP}-V_{refN} Vref=VrefPVrefN.
注意每个参考电压还需要加上VrefN

D2=1
D2=0
D1=1
D1=0
D1=1
D1=0
D0=1
D0=0
D0=1
D0=0
D0=1
D0=0
D0=1
D0=0
1/2Vref
3/4Vref
1/4Vref
7/8Vref
5/8Vref
3/8Vref
1/8Vref
输出:111
输出:110
输出:101
输出:100
输出:011
输出:010
输出:001
输出:000
  • 当采样阶段结束后,断开开关 ϕ 1 phi_{1} ϕ1,进入电荷再分配阶段,各个电容的负端(下极板)所接的电压值与**比较器同相端电压 V + V_{+} V+**的关系如下表,从表中可以看出大致规律。
CC2C4C V + V_{+} V+
VrefPVrefPVrefPVrefP V i n V_{in} Vin
VrefPVrefNVrefPVrefP V i n − 1 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{1}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin81(VrefPVrefN)
VrefPVrefPVrefNVrefP V i n − 2 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{2}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin82(VrefPVrefN)
VrefPVrefNVrefNVrefP V i n − 3 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{3}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin83(VrefPVrefN)
VrefPVrefPVrefPVrefN V i n − 4 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{4}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin84(VrefPVrefN)
VrefPVrefNVrefPVrefN V i n − 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin85(VrefPVrefN)
VrefPVrefPVrefNVrefN V i n − 6 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{6}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin86(VrefPVrefN)
VrefPVrefNVrefNVrefN V i n − 7 8 ( V r e f P − V r e f N ) V_{in}-frac{7}{8}(V_{refP}-V_{refN}) Vin87(VrefPVrefN)
  • 所以初步得出结论:这个sar adc电路可以满足参考电压VrefP和VrefN取值的一般情况。

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参考文献

- [1] 逐次逼近型ADC

最后

以上就是大意火为你收集整理的一种3位sar adc工作过程推导(二)的全部内容,希望文章能够帮你解决一种3位sar adc工作过程推导(二)所遇到的程序开发问题。

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