[渝粤教育] 西北工业大学 模拟电子技术基础 参考 资料

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-模拟电子技术基础-章节资料考试资料-西北工业大学【】
常用半导体器件原理
1、【单选题】N型半导体是在纯净半导体中掺入____；
A、带正电的离子
B、三价元素，如硼等
C、五价元素，如磷等
D、带负电的电子
参考资料【 】
2、【单选题】用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/80141E7E68C11EB921A96D213E576884.png?imageView
A、放大
B、饱和
C、截止
D、损坏
参考资料【 】
3、【单选题】用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/FD65FCFD5DC12F652A8B7C330CAE0A35.png?imageView
A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
参考资料【 】
4、【单选题】图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
A、N沟道结型
B、N沟增强型MOS
C、N沟耗尽型MOS
D、P沟耗尽型MOS
参考资料【 】
5、【单选题】图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
A、N沟道结型
B、P沟道结型
C、N沟道绝缘栅型增强型MOS
D、P沟道绝缘栅型耗尽型MOS
参考资料【 】
6、【单选题】图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/19DEE148BC4BD407D2D96E2A4712D760.png?imageView
A、P沟道结型
B、N沟道结型
C、P沟道耗尽型MOS
D、P沟道增强型MOS
参考资料【 】
7、【单选题】晶体管工作在放大区时，发射结为____
A、正向偏置
B、反向偏置
C、零偏置
D、无
参考资料【 】
8、【单选题】晶体管工作在饱和区时，集电结为____
A、零偏置
B、正向偏置
C、反向偏置
D、无
参考资料【 】
9、【单选题】用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/8A086E320E87E38E7843EB8C0A77B180.png?imageView
A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
参考资料【 】
10、【单选题】用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/FE9D02689B3E677389F3FC17DDC32084.png?imageView
A、饱和
B、放大
C、截止
D、损坏
参考资料【 】
11、【单选题】用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/D1FA9CD05542A8828DA1DD16146558A9.png?imageView
A、饱和
B、截止
C、损坏）
D、放大
参考资料【 】
12、【单选题】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____
A、温度
B、杂质浓度
C、掺杂工艺
D、无
参考资料【 】
13、【单选题】电路如图所示，ui=0.1sinwt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管rd的动态电阻将____。
A、保持不变
B、增大
C、减小
D、无
参考资料【 】
14、【单选题】随着温度升高，晶体管的共射输出特性曲线将___
A、上移
B、下移
C、左移
D、右移
参考资料【 】
15、【单选题】在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、无
参考资料【 】
16、【单选题】设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态
A、饱和
B、截止
C、放大
D、倒置
参考资料【 】
17、【单选题】在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于____
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、无
参考资料【 】
18、【单选题】电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确资料填空。UDC＝0V， 波形如图____所示。
A、
B、
C、
D、
参考资料【 】
19、【单选题】场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____
A、大
B、小
C、相等
D、无
参考资料【 】
20、【单选题】在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。电极①是____
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、漏极
参考资料【 】
21、【单选题】设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/536A95553A1897C41EDE00DBC36F65DA.png?imageView
A、截止
B、饱和
C、放大
D、倒置
参考资料【 】
22、【单选题】在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；
A、不变
B、减小
C、增大
D、无
参考资料【 】
23、【单选题】在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。
A、减小
B、增大
C、不变）
D、无
参考资料【 】
24、【单选题】电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确资料填空。UDC＝-10V， 波形如图____所示。
A、
B、
C、
D、
参考资料【 】
25、【单选题】电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确资料填空。UDC＝10V， 波形如图____所示。
A、
B、
C、
D、
参考资料【 】
26、【判断题】稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态，它不允许工作在正向导通状态
A、正确
B、错误
参考资料【 】
27、【判断题】P型半导体带正电，N型半导体带负电。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
28、【判断题】场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
29、【判断题】在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（ ）
A、正确
B、错误
参考资料【 】
30、【判断题】PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
31、【判断题】PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
32、【判断题】掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
33、【判断题】本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都增加，但增量相同。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
34、【判断题】小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换
A、正确
B、错误
参考资料【 】
35、【判断题】双极型晶体管具有NPN或PNP对称结构，所以发射极和集电极也可以互换
A、正确
B、错误
参考资料【 】
36、【判断题】场效应晶体管是电压控制电流器件
A、正确
B、错误
参考资料【 】
37、【判断题】单极型晶体管交流输入电阻只和交流参数有关和直流参数无关
A、正确
B、错误
参考资料【 】
38、【判断题】锗管PNP管工作在放大状态时其集电结直流偏置电压大于0
A、正确
B、错误
参考资料【 】
39、【判断题】锗管PNP管工作在饱和状态时，其集电结直流偏置电压大于0
A、正确
B、错误
参考资料【 】
40、【判断题】 N沟道场效应管是靠空穴导电的
A、正确
B、错误
参考资料【 】
41、【判断题】P沟道场效应管是靠空穴导电的
A、正确
B、错误
参考资料【 】
42、【判断题】场效应管的电流放大系数是gm
A、正确
B、错误
参考资料【 】
第三章 晶体三极管和场效应三极管及放大电路基础单元测试
1、【单选题】共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望带负载能力强，应选用___
A、共基组态
B、共集组态
C、共射组态
D、无
参考资料【 】
2、【单选题】在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望从信号源索取电流小，应选用____
A、共射组态
B、共集组态
C、共基组态
D、无
参考资料【 】
3、【单选题】共射、共基、共集三种基本放大电路组态中希望即能放大电压，又能放大电流，应选用____；
A、共基组态
B、共射组态
C、共集组态
D、无
参考资料【 】
4、【单选题】共射、共基、共集三种基本放大电路组态中希望高频响应性能好，应选用____。
A、共射组态
B、共集组态
C、共基组态
D、无
参考资料【 】
5、【单选题】如下图，不用计算可以粗略估计电路（1）的输入电阻约为____
A、1M
B、100k
C、3k
D、100
参考资料【 】
6、【单选题】如下图，不用计算可以粗略估计电路（2）的输入电阻约为____，
A、1M
B、100k
C、3k
D、100
参考资料【 】
7、【单选题】如下图，不用计算可以粗略估计电路（3）的输入电阻约为____
A、1M
B、100k
C、3k
D、100
参考资料【 】
8、【单选题】对于1kHz正弦输入信号，图中哪些电路的电压放大倍数绝对值能大于1？（不必计算具体的数值，设晶体管）
A、（a），（b）
B、（a），（d）
C、（b），（d）
D、（a），（c）
参考资料【 】
9、【单选题】对于1kHz正弦输入信号，图中哪些电路的电压放大倍数绝对值能小于1？（不必计算具体的数值，设晶体管）<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/7BF96B4FC683D554EE2B450CBA9C7B07.jpg?imageView
A、（a），（b）
B、（c），（b）
C、（d），（b）
D、（d），（a）
参考资料【 】
10、【单选题】共基放大电路及其交流等效电路如图所示。在下面几种求输入电阻的公式中，哪个是正确的？（电容的容抗可忽略不计）
A、
B、
C、
D、
参考资料【 】
11、【单选题】选择正确图号，用a、b、c、d填空，具有同相放大能力的电路有____；
A、a, b
B、b, d
C、b, c
D、a, c
参考资料【 】
12、【单选题】选择正确图号，用a、b、c、d填空,具有反相放大能力的电路有____；
A、a
B、a, c
C、a, b
D、c, b
参考资料【 】
13、【单选题】已知图（a)的电路的幅频响应特性如图（b）所示。选择正确资料，影响fL大小的因素是____，影响fH大小的因素是____。
A、晶体管极间电容， 晶体管的非线性特性
B、晶体管极间电容， 耦合电容
C、耦合电容， 晶体管极间电容
D、晶体管的非线性特性，耦合电容
参考资料【 】
14、【单选题】电路如图所示，调整Rb,使得UCEQ=6V，判断以下说法的正误，随正弦输入信号幅度增大，输出电压
A、首先出现顶部削平失真
B、首先出现底部削平失真
C、同时发生顶部和底部削平失真
D、无
参考资料【 】
15、【单选题】电路如图所示，调整Rb,使得UCEQ=6V，判断以下说法的正误，随正弦输入信号幅度增大，输出电压
A、首先出现截止失真
B、首先出现饱和失真
C、饱和失真，截止失真同时出现
D、无
参考资料【 】
16、【单选题】要求输入电阻大于 10MΩ，电压放大倍数大于 300，第一级应采用( )电路 ，第二级应采用 （ ）电路
A、共射电路 ，共集电路
B、共源电路，共射电路
C、共集电路，共射电路
D、共漏电路，共射电路
参考资料【 】
17、【判断题】为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的基、射极之间和场效应管的栅、源极之间都应加上正向偏置电压（ ）。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
18、【判断题】直流放大器必须采用直接耦合方式（ ），所以它无法放大交流信号（ ）
A、正确
B、错误
参考资料【 】
19、【判断题】组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含直流电源,对于双极型晶体管放大电路来说，发射结必须加上正向偏置，集电结必须加上反向偏置，所以基极电源应为正电源，集电极电源应为负电源（ ）。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
20、【判断题】图示放大电路具备以下特点：电压放大倍数接近于1，与晶体管的大小关系不大；
A、正确
B、错误
参考资料【 】
21、【判断题】图示放大电路具备以下特点：输入电阻比5.1k大得多；
A、正确
B、错误
参考资料【 】
22、【判断题】图示放大电路具备以下特点：输出电阻随晶体管的增大而增大。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
23、【判断题】图示放大电路具备以下特点：电压放大倍数接近于1，负载是否接通关系不大；
A、正确
B、错误
参考资料【 】
24、【判断题】晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关
A、正确
B、错误
参考资料【 】
25、【判断题】放大电路的非线性失真表现为输入某一频率正弦信号时，输出信号中出现一定量的谐波成分。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
26、【判断题】当放大电路的输入端接上一个线性度良好的三角波信号时，输出三角波的线性不好，可以肯定该放大电路存在非线性失真。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
27、【判断题】某扩音器的高音不丰富，主要是因为其放大电路的非线性失真大
A、正确
B、错误
参考资料【 】
28、【判断题】某扩音器的高音不丰富，主要是因为其放大电路的通频带窄。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
29、【判断题】在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降，输出电阻也减小。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
30、【判断题】MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大
A、正确
B、错误
参考资料【 】
31、【判断题】欲使多级放大电路易于集成化，只能采用直接耦合方式。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
32、【判断题】放大电路的放大倍数是指输出与输入之间的变化量之比，因此它与静态工作点无关。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
33、【判断题】直接耦合多级放大电路各级的 Q 点相互影响，它只能放大直流信号。
A、正确
B、错误
参考资料【 】

最后

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