概述
- 深紫外发光光谱技术简介
深紫外发光光谱是研究半导体材料物理性质的一种重要手段。通常所说的半导体发光是半导体中电子从高能态跃迁至低能态时，伴之以发射光子的辐射复合。我们利用深紫外激光器产生的激光或电子枪发出的电子束到达样品室并入射到样品表面，样品发出的荧光信号被收集进入单色仪，该信号经单色仪分光后由探测系统探测，计算机对探测信号进行采集并形成最终的深紫外发光光谱。
- 我们能够提供测量的光谱类型及其应用范围
光致发光（PL）：使用飞秒激光激发样品，波长：（1）177nm；（2）210nm-330nm可调；（3）345nm-495nm可调；（4）690nm-990nm可调。PL光谱可以实现稳态光谱和瞬态（时间分辨）光谱的测量。稳态光谱可用于研究半导体材料的基本物理性质，如晶体结构、电子态、声子结构、杂质、缺陷、激子复合机制等。瞬态光谱采用条纹相机探测，既可以得到不同时刻的时间分辨光谱，也可以得到某一波长处的荧光衰退曲线，时间分辨率为2ps。可以用来研究半导体材料载流子动力学性质。
阴极荧光（CL）：使用电子束激发样品，最大能量30keV。可用于表征宽禁带半导体材料性质。波长扫描范围：170nm-800nm。
- 参考报价及交付周期
深紫外发光评价参数主要有参考报价、交付周期，根据客户的不同使用情况我们会选择合适的激光波长或电子束能量。具体等级划分及相关参数如下：
| 仪器设备 | 加工测试方法 | 验证费（元） | 测试单价（元/谱） | 备注 | ||
| 深紫外 光谱仪 | 室温稳态 | 3000 | 1000/谱（室温） 1500/谱（低温或变温） 1500/瞬态图像 | 激发模式包括PL模式和CL模式，其中PL模式可得到时间分辨光谱 | ||
| 室温瞬态 | ||||||
| 低温稳态 | ||||||
| 低温瞬态 | ||||||
| 注意： 测试样品较多时，样品的尺寸最好准备为2*0.5cm长条形，不超过2*1cm，一次可放四个样品，具体尺寸可协商。 目前最低温度可达12k，寿命只能ns级，369和375有胶的峰值 最好尽可能全的给出样品的信息，如样品结构、带宽、可能的发光峰位置、计划测试的范围等。 关于加急服务：常规周期为7个工作日内给出测试结果，对于较难测得信号的样品，时间可能会有所延迟。若加急服务，<5天（原有价格*1.5倍），<3天（原有价格*3）。 测试流程：客户提交需求-->测试人员分析测试的可行性-->确认进行测试-->提供测得的数据 | ||||||
| 3000 | ||||||
4. 深紫外发光光谱测试设备介绍：
| 1. PL光谱 技术参数与能力： 波长：690nm-990nm，345nm-495nm和210nm-330nm三个波段内可调，最小激光波长可达177nm 波长扫描范围：170nm-800nm 温度范围：8K-350K 时间分辨率(瞬态光谱)：2ps 狭缝、步长及激光功率视具体情况而定 | |
| 2. CL光谱 技术参数与能力： 电子束能量：最高可达30keV 波长扫描范围：170nm-800nm 温度范围：8K-350K 狭缝和步长视具体情况而定 |
最后
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