行波iq调制器_相干光通讯系统发展提速 未来需要什么样的光调制器？

LiNbO3铌酸锂虽然现在在

简 介

不断增长的

同相正交In-Phase Quadrature-Phase (IQ)光调制器是超高速相干系统中重要的器件选择。本文主要讨论下一代相干光通信系统对调制器的参数要求，以及核心调制器参数对系统性能的影响，而且会特别讨论磷化铟在实现这些参数要求上的优势。也会介绍近来在磷化铟调制器方面的研究进展，比如在降低调制电压，提高响应带宽等方面的突破。

铌酸锂调制器的局限性

在早期的光通信网络发展过程中，铌酸锂lithium niobate (LiNbO3)晶体起到了重要的作用。基于铌酸锂晶体线性电光效应的Mach-Zehnder调制器，是超长距光通信的重要器件。虽然相比较而言，高速激光器直接调制以及电吸收调制electro-adsorption modulator (EAM)会更简单及廉价，但是它们的消光比extinction ratio(ER)总是很低，限制了系统的性能。相反，铌酸锂MZ调制器能实现很高的消光比ER，因而作为外调制器广泛应用在超长超高速

尽管基于铌酸锂的同相正交光调制器有很多优点，在100G应用中取得先机，但是还是有些技术局限性不容易克服。在对端口密度越来越大的要求下，对

注：DCO digital coherent optics 是将DSP信号处理

当系统的散热机制到达极限的时候，器件密度的增加也需要配合有更低的器件能耗值来平衡。对于LiNbO3铌酸锂来说，很难再不增加调制器臂长度的情况下减小调制电压。这一矛盾限制了铌酸锂在更小及更高要求的下一代100G以上网络中的应用。

下一代相干光通信系统需要光调制器满足一下要求：调制电压(半波电压)低、尺寸小、插入损耗低、以及可靠性高。某些聚合物调制器或则半导体材料调制器也许能做到尺寸小以及调制电压低，但是聚合物材料的缺点是稳定性可靠性不高。另外，尽管最近基于半导体的硅光器件是一大热点，而且出现很多硅光调制器，他们的消光比ER和插入损耗仍然是很大的挑战。插损的问题可以用光放大器来补偿，但是这样也增加了额外的能耗和噪声。

InP磷化铟行波MZ调制器

InP磷化铟已经在着高速光通信的领域证明了其本身的优点。InP磷化铟晶圆可以在外延生长时利用III/V族材料来对器件特性进行微调优化，从而制成优良的可调激光器及高速探测器，同时InP磷化铟本身有着经过验证的优良可靠性。晶圆生长的精细可控工艺加上日益改进的封装工艺，InP磷化铟器件的成本已经大大的降低。这让也InP磷化铟有可能应用于下一代光调制器。

尺寸小、半波电压低的高速Mach-Zehnder调制器要求材料本身在单位长度上有尽量打的相移。三元或者四元的合金材料参与InP磷化铟的外延生成可以精细调整晶圆材料的能级结构，从而满足器件应用要求。利用在InGaAsP中multiple quantum well (MQW)晶格结构的Quantum Confined Stark Effect (QCSE)效应可以在InP磷化铟上产生非常大的单位长度相移。另外，结合行波电极的设计，达到

图二演示了双极行波IQ调制器的基本概念。最近已有商业化的低电压高带宽InP IQ调制器面市。这些调制器不但尺寸小而且适合与其他InP器件比如激光器以及高速光